[发明专利]浅沟槽形成方法及浅沟槽结构有效
| 申请号： | 200710039251.0 | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101281866A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 何德飚;宋伟基 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 结构 | ||
1. 一种浅沟槽形成方法，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上顺序形成钝化层及辅助介质层；
图形化所述辅助介质层；
以图形化的所述辅助介质层为硬掩膜，刻蚀所述钝化层及部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽。
2. 根据权利要求1所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：所述辅助介质层包含二氧化硅、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃或硼磷硅玻璃中的一种或其组合。
3. 根据权利要求1或2所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：所述浅沟槽形成方法还包括：在刻蚀所述钝化层及部分所述半导体基底后，去除残余的所述辅助介质层。
4. 根据权利要求3所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：采用氢氟酸溶液去除残余的所述辅助介质层。
5. 根据权利要求4所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：所述氢氟酸溶液的浓度小于3％。
6. 一种浅沟槽形成方法，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上顺序形成钝化层、辅助介质层；
图形化所述辅助介质层及所述钝化层；
以图形化的所述辅助介质层及所述钝化层为硬掩膜，刻蚀部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽。
7. 根据权利要求6所述的浅沟槽形成方法，其特征在于：所述辅助介质层包含二氧化硅、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃或硼磷硅玻璃中的一种或其组合。
8. 一种浅沟槽结构，包括半导体基底、形成于所述半导体基底上的钝化层以及贯穿所述钝化层及部分所述半导体基底的浅沟槽，其特征在于：所述浅沟槽结构还包括辅助介质层，所述辅助介质层形成于所述钝化层上，所述浅沟槽贯穿所述辅助介质层。
9. 根据权利要求8所述的浅沟槽结构，其特征在于：所述辅助介质层包含二氧化硅、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃或硼磷硅玻璃中的一种或其组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
