[发明专利]控制ZnO纳米柱阵列密度的方法无效
| 申请号： | 200710037624.0 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101244895A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李效民;邱继军;于伟东;高相东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C03C17/25 | 分类号： | C03C17/25;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 zno 纳米 阵列 密度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.控制ZnO纳米柱阵列密度的方法，其特征在于通过控制ZnO-MOx复合溶胶体系中锌离子与Mx+离子的浓度比[Zn2+]/[Mx+]，[Zn2+]/[Mx+]≥ 0.2，调节ZnO-MOx复合薄膜中ZnO与MOx的颗粒大小和分布状态，并且利 用水溶液法制备ZnO纳米柱阵列时，生长初始阶段ZnO纳米柱晶核对籽晶 层中ZnO晶粒的选择性生长来实现对其密度的调节，具体步骤是：
①将少量的MOx溶胶与ZnO溶胶混合，搅拌均匀后形成稳定的复合溶 胶；
②然后采用浸渍提拉法将其沉积到基片上，热处理后形成ZnO-MOx复 合籽晶层；
③将ZnO-MOx的复合籽晶层浸入由Zn(NO3)2，NaOH和H2O组成的生长 液中，50-90℃下生长后，在籽晶层上形成具有一定密度的ZnO陈列，通 过控制MOx溶胶的加入量，调节ZnO阵列的密度；
所述Mx+为二价、三价或四价的阳离子。
2.按权利要求1所述的控制ZnO纳米柱阵列密度的方法，其特征在 于所述的Mx+离子为Mg2+、Al3+或Ti4+。
3.按权利要求1所述的控制ZnO纳米柱阵列密度的方法，其特征在 于所制备的ZnO纳米柱直径为80nm-300nm，密度为106-1012cm-1且可调。
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