[发明专利]采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺有效
| 申请号： | 200710037559.1 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101017850A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 邵光平 | 申请（专利权）人： | 上海富华微电子有限公司;吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所 | 代理人： | 沈美英 |
| 地址： | 200122上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 psg 掺杂 技术 vdmos igbt 功率 器件 及其 制造 工艺 | ||
【权利要求书】：
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