[发明专利]钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法无效
申请号: | 200710035189.8 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN101109096A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 蔡青云;杨丽霞;邝淑云 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;H01L31/18 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所 | 代理人: | 赵静华 |
地址: | 41008*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 阳极 氧化 法制 纳米 阵列 方法 | ||
1.一种钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)将基底材料表面打磨,清洗干净备用;
(2)配制有机电解液:电解液由HF质量百分含量为0.5-3%的氢氟酸与二甲基亚砜的混合溶液;
(3)在25~100V直流电压下,以纯钛或钛合金为阳极,铂片为阴极,在电解液中电解制备纳米管;
(4)掺杂钨,钼的二氧化钛纳米管阵列的制备:
①用以上制备的TiO2纳米管阵列浸泡在WO3或MoO3以O22-为螯合剂的澄清溶液中10-90分钟,WO3或MoO3螯合物在电场力吸引和毛细管作用下进入TiO2纳米管;
②在500-600℃有氧条件下煅烧4-6h,即为成品。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述电解的直流电压为30-70V。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述螯合物中钨或钼的浓度为0.01-0.035g/mL。
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