[发明专利]钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法无效

专利信息
申请号: 200710035189.8 申请日: 2007-06-22
公开(公告)号: CN101109096A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 蔡青云;杨丽霞;邝淑云 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;H01L31/18
代理公司: 长沙星耀专利事务所 代理人: 赵静华
地址: 41008*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 掺杂 阳极 氧化 法制 纳米 阵列 方法
【权利要求书】:

1.一种钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)将基底材料表面打磨,清洗干净备用;

(2)配制有机电解液:电解液由HF质量百分含量为0.5-3%的氢氟酸与二甲基亚砜的混合溶液;

(3)在25~100V直流电压下,以纯钛或钛合金为阳极,铂片为阴极,在电解液中电解制备纳米管;

(4)掺杂钨,钼的二氧化钛纳米管阵列的制备:

①用以上制备的TiO2纳米管阵列浸泡在WO3或MoO3以O22-为螯合剂的澄清溶液中10-90分钟,WO3或MoO3螯合物在电场力吸引和毛细管作用下进入TiO2纳米管;

②在500-600℃有氧条件下煅烧4-6h,即为成品。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述电解的直流电压为30-70V。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述螯合物中钨或钼的浓度为0.01-0.035g/mL。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学,未经湖南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710035189.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top