[发明专利]一种片式贱金属电阻器的制造方法

权利要求书

1.一种片式贱金属电阻器的制造方法，通过在Al₂O₃基板(3)形成电阻体(4)，附着在Al₂O₃基板(3)正面和背面的面电极和背电极、附着电阻体(4)上的玻璃层(5)与包覆在Al₂O₃基板(3)及面电极和背电极两端的端电极(6)的形成及激光调阻步骤制得，在制造过程中，

a.通过丝网印刷的方法粘接用浆料涂覆在Al₂O₃基板(3)上设定的面、背电极位置处，然后在氮气氛中，400～700L/min的流量、600～800℃的温度下烧结，形成面电极粘接层(1)、背电极粘接层(1’)；

b.通过丝网印刷的方法贱金属导电浆料印制在面、背电极的粘接层(1与1’)上，印制在面电极粘接层(1)处的贱金属导电浆料并与电阻体(4)形成保证电气连接的搭接，然后在氮气保护气氛中，400～700L/min的流量、600～800℃的温度下烧结，形成贱金属面电极层(2)与背贱金属电极层(2’)。

2.如权利要求1所述的片式贱金属电阻器的制造方法，其特征在于粘接层浆料的组成是：玻璃粉50～70wt％，无机颜料0.3～8.0wt％，高分子树脂0.5～6wt％，溶剂10～48wt％。

3.如权利要求2所述的片式贱金属电阻器的制造方法，其特征在于玻璃粉的组成是(I)SiO₂-B₂O₃-PbO-TiO₂体系玻璃粉，该体系中各组份的重量百分比为：

SiO₂5-30wt％，B₂O35～28wt％，PbO₂0～70wt％，TiO₂5～15wt％，Al₂O₃0～5wt％，ZnO0～10wt％，CuO0～10wt％，AgO0～5％。

4.如权利要求2所述的片式贱金属电阻器的制造方法，其特征在于玻璃粉的组成是(II)B₂O₃-SiO₂-Al₂O₃-ZnO-CuO体系玻璃粉，该体系中各组份的重量百分此为：

B₂O₃5～30wt％，SiO₂11～30wt％，Bi₂O₃0～10wt％，Al₂O₃3～10wt％，CuO5～20wt％，ZnO5-20wt％，ZrO0～15wt％，BaO0～5wt％，CaO0～5wt％SrO0～10wt％，Nb₂O₅0～5wt％，TiO₂0～8wt％。

5.如权利要求3或4所述的片式贱金属电阻器的制造方法，其特征在于无机颜料是指Cr₂O₃、CuO、Cr₂O₃或Co中的一种或几种的组合，所述的高分子树脂是乙基纤维素、氢化松香树脂、聚乙烯、聚氨酯中的一种或几种的组合，所述的有机溶剂是指乙醇、异辛醇、松油醇、四甲苯溶剂中的一种或几种的组合。

6.如权利要求2所述的片式贱金属电阻器的制造方法，其特征在于贱金属电极浆料按重量百分比的组成为：贱金属材料60～75wt％；高分子树脂0.5～5wt％；溶剂5～35wt％；玻璃粉7～17wt％，其中玻璃粉的组成为：

(I)SiO₂-B₂O₃-PbO-TiO₂体系：0～5wt％

(III)B₂O₃-SiO₂-PbO-Al₂O₃体系：7～14wt％。