[发明专利]氢气传感器用薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.氢气传感器用薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料包括基片、合金薄膜材料和保护薄膜；基片和保护薄膜夹覆着合金薄膜材料；合金薄膜材料的基本成分为Mg和Ni，化学组成为Mg_[p-x]α_[x]Ni_[1-y]β_[y]，其中α为Al、Mn、Sn、Ca、Li、B、La、Ce、Nd、Pr、Y或者混合稀土，其中β为Cu、Ti、Co、Fe、Cr、Zr、V、Nb、Mo或者W，其中2≤p≤70，0≤x≤35，0≤y≤0.8。

2.根据权利要求1所述的氢气传感器用薄膜材料，其特征在于：所述基片为金属、半导体或者绝缘体基片。

3.根据权利要求1所述的氢气传感器用薄膜材料，其特征在于：所述保护薄膜为Pd、Pt或Au薄膜，或者Pd、Pt、Ag、Au、Co的二元或多元合金薄膜。

4.根据权利要求1所述的氢气传感器用薄膜材料，其特征在于：所述合金薄膜材料厚度为10～2000nm。

5.根据权利要求1所述的氢气传感器用薄膜材料，其特征在于：所述保护薄膜厚度为2～1000nm。

6.权利要求1所述的氢气传感器用薄膜材料的制备方法，其特征在于：首先用感应熔炼或粉末冶金方法预制合金靶，然后用物理气相沉积方法，在基片上制成合金薄膜材料，接着在合金薄膜材料表面覆盖一层保护薄膜。

7.根据权利要求6所述的氢气传感器用薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述物理气相沉积方法为溅射、电子束蒸镀或者激光蒸镀方法。

8.根据权利要求6所述的氢气传感器用薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述合金靶的基本成分为Mg和Ni，化学组成为Mg_[p-x]α_[x]Ni_[1-y]β_[y]，其中α为Al、Mn、Sn、Ca、Li、B、La、Ce、Nd、Pr、Y或者混合稀土，其中β为Cu、Ti、Co、Fe、Cr、Zr、V、Nb、Mo或者W，其中2≤p≤70，0≤x≤35，0≤y≤0.8。

9.根据权利要求8所述的氢气传感器用薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述合金靶为两种或者两种以上所述化学组成的混合物。

10.根据权利要求6所述的氢气传感器用薄膜材料的制备方法，其特征在于：用感应熔炼方法将块状金属熔炼成合金铸件，高温退火后，用线切割方法把合金铸件加工成合金靶；或者用粉末冶金方法将金属粉末烧结，高温退火后，用线切割方法加工成合金靶。