[发明专利]一种双模手机及其电池保护电路无效
申请号: | 200710029568.6 | 申请日: | 2007-08-03 |
公开(公告)号: | CN101360289A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 王磊;许奕波 | 申请(专利权)人: | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H04Q7/32 | 分类号: | H04Q7/32;H02H7/18 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 518040广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双模 手机 及其 电池 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及移动通信领域,尤其是涉及一种双模手机及其电池保护电路。
背景技术
锂电池由于其高效耐用轻巧灵便等特点,现在被广泛地应用于各种便携式电子设备中,如移动通信中。现有的锂电池一般均设有在放电状态下防止过放电和负载短路的保护电路。
如图1和图2所示,即示出了现有的一种单模手机电池供电及电池保护电路框图。由于锂离子电池的化学特性,电池生产厂家规定锂电池的放电电流IC最大不应超过2C,此处C=电池容量/小时,例如,一块锂电池的容量为900毫安时,则C=900毫安。当锂电池的放电电流常时间超过2C时,可能会导致该锂电池的永久性损坏或出现安全问题。为了保护锂电池不被大电流放电,同时满足单模手机的正常使用需要,该手机的锂电池内都设计有电池保护电路,其原理框图如图2所示,在单模手机锂电池的保护电路中,锂电池两端连接有电池保护IC、场效应管(FET)、及分流电阻R(阻值R一般小于1000欧姆)等,另外还设有一个熔断器件(Fuse),它在电路中起着二级过流保护作用。其原理为:FET管本身有一定的导通电阻,此导通电阻被用做保护电路的检测电阻(RFET)。当与该手机锂电池连接的单模通信模块工作时(如启动),则该手机锂电池向单模通信模块供电,此时,有一定的电流(I)通过FET管,根据欧姆定律(U=I*R),则在串接后的FET管与电阻R两端(AC两端)存在一定的电压差(即,UFET=I*(RFET+R))。电池保护IC通过定时采样AC两端的电压差来测定输出电流的大小,电池保护IC把从AC两端的取样电压差值与电池保护IC内预先设置好的基准电压U0(与锂电池额定输出电流相对应的一个电压值)进行比较,当锂电池的放电电流超过额定输出电流时,则AC两端电压值会高于保护IC内部的基准电压U0。当电池保护IC获知采样到的AC两端的电压值UFET经比较后高于基准电压值U0,则电池保护IC判断此时锂电池的放电电流超过了额定值,此时,电池保护IC会控制FET管进行关断,以防止锂电池被长时间被过大的电流放电,从而来达到保护锂电池的目的,由此可以看出,电池保护IC的基准电压U0应等于或略大于IC*(RFET+R)。其中,熔断器件用于在电池保护IC出现故障时,当通过该熔断器的电流过大,一段时间后发热自身熔断,从而切断锂电池的放电电路,来达到对锂电池的二级保护作用。
随着双模手机在市场上逐渐流行起来,给用户带来了方便,也给双模手机的设计带来了一些新的问题。如图3所示,是现有的双模手机与电池装置的连接示意图;由于,双模手机一般均设有两个通信模块,故双模手机模块在启动时(搜索对应的通信网络)时所消耗的电流是比较大的,其峰值电流较高(如在一个应用例子中,可达2安培左右),如果双模手机的两个通讯模块同时启动,在搜网过程中所产生的峰值电流高达数安培(如4安培),这样就给为双模手机供电的锂电池提出了很高的要求,根据前面的介绍,由于锂电池的放电电流最大不应超过2C,可以知道,为双模手机供的锂电池的电池容量应该不低于一个较大的数值(例如,对应于放电电流峰值为4安培,则该电池容量至少应该为2000毫安时)。但是现有的锂电池一般很难达到这个容量标准,另外,由于在双模手机中,锂电池的放电电流一般是在搜网时最大,在其他的工作状态时,其放电电流远低于此。为解决此问题,现有的普遍的方法是将双模手机的两个手机模块分别启动(禁止同时启动),即,首先启动其中一个通信模块,此时,另一个通信模块暂不启动;待第一个通信模块搜网结束之后,再启动第二个通信模块。用这种方法来避免两个通信模块同时启动而带来的高峰值的放电流。但是此种方法存在不足之处在于,就是增加了双模手机的启动时间,给用户的使用带来了不便,降低了用户的使用体验。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种双模手机及其电池保护电路,可以提高双模手机中锂电池的最大输出电流,以满足双模手机的两个通信模块同时启动搜网时的电流需求。
本发明所采用的技术方案为:本发明实施例的一方面,提供一种电池保护电路,连接在手机电池与手机的通信模块之间,包括:
与电池一端串接的FET管组;
与所述FET管组串接的保护电阻R1;
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