[发明专利]直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法

权利要求书

1、一种直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：在支架内，最少一个发光二极管芯片是通过金属凸点直接倒装于支架上。

2、如权利要求1所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的金属凸点是制造在发光二极管芯片的P、N电极上，然后发光二极管芯片的P、N电极直接与支架内对应于P、N电极的金属焊盘倒装连接；或者金属凸点是制造在支架上，然后光二极管芯片的P、N电极的金属焊盘直接与金属凸点倒装连接。

3、如权利要求2所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的金属凸点通过电镀工艺或者机械栽植的方式形成，金属凸点的材料为铅、锡、金中单一的材料或者共晶合金；P、N电极的金属焊盘的材料为镍、金、银、铝中单一的材料、多层材料或者合金，焊盘的厚度为0.5～10微米。

4、如权利要求2所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的金属凸点同金属焊盘的键合过程是用回流焊的方式或是加热后加超声波的邦定工艺。

5、如权利要求1所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的支架包括表面粘着型、直插式支架、侧面出光的支架、正面出光的支架、单芯片支架、多芯片支架；支架的材料是树脂、金属或者陶瓷。

6、如权利要求1所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的发光二极管芯片是单一一个芯片。

7、如权利要求1所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的发光二极管芯片是两个或者两个以上。

8、如权利要求7所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的发光二极管芯片是不同尺寸、不同颜色芯片的组合。

9、如权利要求7所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的发光二极管芯片是红、绿、蓝(RGB)全彩显示用的多芯片组合、双色芯片模组或者单色的芯片模组。

10、如权利要求9或8所述的直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述的红色芯片是通过金线键合的形式连接，而蓝光、绿光芯片是通过倒装不打线的形式组装于支架内。