[发明专利]表面敏感电容式气体传感器及其制作方法无效
| 申请号: | 200710026066.8 | 申请日: | 2007-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN101109725A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
| 发明(设计)人: | 孟凡利;刘锦淮;李民强;贾勇;陈星;黄家锐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号: | G01N27/20 | 分类号: | G01N27/20;H01L21/00 |
| 代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人: | 赵晓薇 |
| 地址: | 230031安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 敏感 电容 气体 传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种表面敏感电容式气体传感器,其特征在于:所述的表面敏 感电容式气体传感器结构为长方形的片状,依次由第一电极、硅片(1)、 氧化硅(2)、第二电极、敏感材料薄膜(3)构成;
所述的第一电极和第二电极是任意形状,位于表面敏感电容式气体 传感器的第一层和第四层;
所述的硅片(1)是未掺杂的硅片或掺杂的硅片,位于表面敏感电 容式气体传感器的第二层;
所述的氧化硅(2)是通过在硅片(1)表面原位热氧化或在硅片(1) 表面溅射沉积氧化硅(2),位于表面敏感电容式气体传感器的第三层;
所述的敏感材料薄膜(3)由一维纳米材料或一维微米材料组成, 位于表面敏感电容式气体传感器的第五层;
所述的表面敏感电容式气体传感器在常温常压下工作,其中所述的 氧化硅(2)作为电介质,与所述的硅片(1)和第二电极之间形成一个 平板电容器结构,所述的敏感材料薄膜(3)置于平板电容器某一极板 的外表面,利用一维纳米材料或一维微米材料尖端曲率半径小的特点, 将待测气体极化能够增加或减少平板电容器上的电荷量、改变电容信号 的大小,通过电容信号反映出来的变化,判断表面敏感电容式气体传感 器进行被测气体的种类。
2.根据权利要求1所述的一种表面敏感电容式气体传感器,其特 征在于:所述的硅片(1)是重度掺杂的硅片,其电阻率最低为0.001 Ω·cm。
3.根据权利要求1所述的一种表面敏感电容式气体传感器,其特 征在于:所述的表面敏感电容式气体传感器进行测定气体的种类是毒 品、爆炸物和极性气体。
4.根据权利要求1所述的一种表面敏感电容式气体传感器的制作 方法,其特征在于制作步骤如下:
在硅片(1)的下表面采用蒸发或溅射方法或采用导电浆料丝网印 刷方法制作一层金属薄膜作为第一电极层,然后采用热氧化的方法在硅 片(1)的上表面作上一层氧化硅(2),或先将硅片(1)重度掺杂,作 为第一电极使用,再在硅片(1)上表面溅射一层氧化硅(2);
然后在氧化硅(2)表面采用蒸发或溅射方法或采用导电浆料丝网 印刷方法制作一层金属薄膜作为第二电极,在第二电极表面再原位生长 一维纳米材料或一维微米材料作为敏感材料薄膜(3)或将制备的一维 纳米材料或一维微米材料涂在第二电极的表面作为敏感材料薄膜(3)。
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