[发明专利]纳米碳素技术修饰球形氢氧化镍的方法无效
| 申请号： | 200710024530.X | 申请日： | 2007-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101077794A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 费扬 | 申请（专利权）人： | 江苏奇能电池有限公司 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐冬涛 |
| 地址： | 212200*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 碳素 技术 修饰 球形 氢氧化 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种纳米碳素技术修饰氢氧化镍的方法，其特征在于包括下列步骤：
(1)向0.05～0.1mol/L的氢氧化钠溶液中加入Ni(OH)2，使Ni(OH)2的浓度达到0.1～5mol/L，并加入Ni(OH)2质量的5～10％的石墨，制得混合液；
(2)将混合液在40～100℃并搅拌下置于电场中，按每平方厘米0.05～0.5mA的电流密度通入直流电进行反应；其中电场的阴阳极两端的槽电压为1.5～1.85V；
(3)将经过反应的混合液在40～80℃下沉淀搁置后，通入超声波对混合液震荡2～5h；
(4)将经过震荡的混合液静置沉淀、过滤、洗涤、干燥后得到纳米碳素修饰的氢氧化镍。
2、根据权利要求1所述的纳米碳素技术修饰氢氧化镍的方法，其特征在于步骤(2)中的搅拌速度为每分钟500～1500转。
3、根据权利要求1所述的纳米碳素技术修饰氢氧化镍的方法，其特征在于步骤(2)中电场的阴阳极为镍金属板。
4、根据权利要求1所述的纳米碳素技术修饰氢氧化镍的方法，其特征在于步骤(2)中的反应时间为2～5h。
5、根据权利要求1所述的纳米碳素技术修饰氢氧化镍的方法，其特征在于步骤(3)中的沉淀搁置时间为12～24h。
6、根据权利要求1所述的纳米碳素技术修饰氢氧化镍的方法，其特征在于步骤(4)中的静置沉淀时间为2～10h。
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