[发明专利]钼酸镧基固体电解质薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种钼酸镧基固体电解质薄膜材料，包括基底和具有(La_2-xA_x)(Mo_2-yB_y)O_9-δ化学式组成的钼酸镧基，化学式中的A为镧位掺杂物，x为0.03～0.3，B为钼位掺杂物，y为0.03～0.5，其特征在于所说基底上覆有所说钼酸镧基构成的固体电解质多晶薄膜，所说固体电解质多晶薄膜的厚度为50nm～10μm，其由粒径为10～90nm的钼酸镧基粒子构成。

2.根据权利要求1所述的钼酸镧基固体电解质薄膜材料，其特征是镧位掺杂物A为钾或钡或钆或钕或铋或钙。

3.根据权利要求1所述的钼酸镧基固体电解质薄膜材料，其特征是钼位掺杂物B为铁或锰或钨或铼或铬或钒。

4.根据权利要求1所述的钼酸镧基固体电解质薄膜材料，其特征是基底为单晶硅或石英或玻璃或陶瓷或云母或金属。

5.根据权利要求1所述的钼酸镧基固体电解质薄膜材料的制备方法，包括溶胶-凝胶法，其特征在于是按以下步骤完成的：

(a)按照(La_2-xA_x)(Mo_2-yB_y) O_9-δ的成分比，称取相应量的氧化镧、镧位掺杂物的氧化物或硝酸盐或乙酸盐、钼酸铵和钼位掺杂物的氧化物或硝酸盐或乙酸盐，并将氧化镧溶于硝酸，其它的分别配制成相应的水溶液后，先将硝酸镧溶液滴加入搅拌下的钼酸铵溶液中，再向其中加入镧位掺杂物溶液和钼位掺杂物溶液得混合溶液，接着，向混合溶液中添加柠檬酸后搅拌，其中，柠檬酸与混合溶液中的总金属离子的摩尔比为1∶1～3，之后，将其置于60～100℃下搅拌2～10小时后形成清亮溶胶，然后，对清亮溶胶过滤得溶胶；

(b)先将溶胶与水溶性高分子聚合物相混合，并对其加水调节，使其中的金属离子总浓度为0.01～0.2mol/L、高分子浓度为20～80g/L，再向其中加入硝酸调节pH值为0.5～4，经搅拌得涂膜胶体；

(c)先用涂膜胶体涂覆基底，再将涂覆有涂膜胶体的基底升温至600～650℃并于550～600℃下保温10～50小时，重复本步骤至少一次以上，制得钼酸镧基固体电解质薄膜材料。

6.根据权利要求5所述的钼酸镧基固体电解质薄膜材料的制备方法，其特征是水溶性高分子聚合物为聚乙二醇或聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮。

7.根据权利要求5所述的钼酸镧基固体电解质薄膜材料的制备方法，其特征是涂覆为旋涂或喷涂或浸渍。

8.根据权利要求5所述的钼酸镧基固体电解质薄膜材料的制备方法，其特征是升温至600～650℃时的升温速率为3～5℃/min。