[发明专利]氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体，包括硅基底和其上的纳米线阵列，其特征在于：所说硅基底上生成有嵌入硅基底内的微米级空心块状物，所说微米级空心块状物的内壁上生成有纳米线阵列，所说纳米线阵列为氧化硅或硅酸锌纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体，其特征是微米级空心块状物的三维尺寸均分别为100～200μm。

3.根据权利要求1所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体，其特征是氧化硅或硅酸锌纳米线的长度为2～8μm、直径为10～100nm。

4.根据权利要求1所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法，包括化学气相沉积法，其特征在于是按以下步骤完成的：将硅基底和表面覆有锌粉的碳酸锌粉置于流动的氩气气氛中，其中，硅基底位于表面覆有锌粉的碳酸锌粉的下游，在900～1100℃下反应10～20min，制得氧化硅纳米线组装的微米级块状硅基复合体，或在900～1100℃下反应50～70min，制得硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体。

5.根据权利要求4所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法，其特征是锌粉的纯度为≥99.99wt％，细度为150～250目。

6.根据权利要求4所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法，其特征是碳酸锌粉的纯度为≥99.9wt％，细度为150～250目。

7.根据权利要求4所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法，其特征是流动的氩气气氛为50～70sccm的氩气。

8.根据权利要求4所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法，其特征是硅基底与表面覆有锌粉的碳酸锌粉的间距为3～5cm。

9.根据权利要求4所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法，其特征是升温至900～1100℃的升温速率为25～35℃/min，反应结束后，自然降温至室温。

10.根据权利要求4所述的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法，其特征是硅基底为n型(100)方向的硅片。