[发明专利]异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管无效
| 申请号： | 200710023524.2 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101079446A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈军宁;柯导明;代月花;高珊;徐超;孟坚;吴秀龙 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 23003*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质栅多 阶梯 极板 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
1、异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是设置源栅(3)和漏栅(4)的异质双栅结构，由第一级场极板(11)和第二级场极板(12)构成多阶梯场极板，源栅(3)、漏栅(4)、第一级场极板(11)和第二级场极板(12)依次相连；源(1)和漏(2)分别设置在沟道阱区(6)和阱漂移区(7)上；栅氧化层(8)设在源栅(3)、漏栅(4)与沟道阱区(6)之间，在沟道阱区(6)上设有阱接触孔(61)；场氧化层(9)在第一级场极板(11)、第二级场极板(12)以及阱漂移区(7)之间；氧化层(10)覆盖在所述多阶梯场极板之上；沟道阱区(6)和阱漂移区(7)均位于衬底(5)之上。
2、根据权利要求1所述的异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是所述源栅(3)采用高功函数材料，包括钨和p型多晶硅、钼和钨化物；漏栅(4)采用低功函数材料，包括铝和n型多晶硅。
3、根据权利要求1所述的异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是所述源栅(3)和漏栅(4)的双栅总长度为0.4-1.7μm。
4、根据权利要求3所述的异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是所述源栅(3)与漏栅(4)的长度比为1∶1。
5、根据权利要求1所述的异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是由所述第一级场极板(11)和第二级场极板(12)构成的阶梯场板总长度为3.3μm，其中第一级场极板(11)下的场氧化层厚度为0.4-0.5μm，第二级场极板(12)下的场氧化层厚度为0.6μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学，未经安徽大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710023524.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热水空调装置
- 下一篇：汽车转向管柱减震装置
- 同类专利
- 专利分类
