[发明专利]绝缘导热金属基板的制备方法

权利要求书

1.一种绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)提供一金属基材并将该金属基材置于等离子反应室中；

(2)将混有高侵蚀性气体的气体混合物通入该等离子反应室中，对该金属基材的表面做不规则性地侵蚀以形成纳米级表面粗糙度；

(3)于该等离子反应室中等离子化学气相沉积，产生自由基等离子，并在该金属基材的表面形成多层高导热涂层，该高导热涂层包括等离子界面转换层及等离子高导热绝缘层，且多层高导热涂层为复合堆栈而成，该步骤包括：

(3.1)将混有硅源前驱物的气体混合物通入该等离子反应室中，通过等离子活化该气体混合物而在等离子反应室中产生第一自由基等离子，第一自由基等离子靠着低压气相扩散在该金属基材的表面产生等离子界面转换层；

(3.2)将混有金属或陶瓷的化学前趋物的气体混合物通入该等离子反应室中；通过等离子活化该气体混合物而在等离子反应室中产生第二自由基等离子，第二自由基等离子靠着低压气相扩散在该等离子界面转换层的表面产生等离子高导热绝缘层。

2.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：该等离子反应室为批次式或连续式化学气相沉积反应器。

3.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：该金属基材的材质为铜合金、不锈钢、Ni-Ti合金、镁合金或铝合金中的任何一种。

4.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：该金属基材在进入等离子反应室前已经过前处理，前处理包括脱脂，酸洗，清洗。

5.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的气体混合物中还包括反应性气体或惰性气体。

6.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的高侵蚀性气体为CF₄，CF₂Cl₂，Cl₂中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：步骤(3.1)的气体混合物还包括反应性气体，反应性气体为气态氧或水蒸气。

8.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：等离子界面转换层为单层膜。

9.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：等离子界面转换层为多层膜。

10.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：步骤(3.2)的金属或陶瓷的化学前趋物为(Ta(EtCp)₂(CO)HEtCp或Al(CH₃)₃中的一种。

11.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：步骤(3.2)的气体混合物还包括反应性气体和惰性气体。

12.根据权利要求11所述的绝缘导热金属基板的制备方法，其特征在于：步骤(3.2)的反应性气体为O₂，N₂，H₂O，NH₃。