[发明专利]高性能半导体纳米硅场电子发射材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710020043.6 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017751A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 徐骏;陈坤基;黄信凡;徐岭;李伟;马忠元 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01L21/205;H01L21/324;B82B1/00;B82B3/00;C30B29/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210093江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 半导体 纳米 电子 发射 材料 及其 制备 方法 | ||
【说明书】：
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