[发明专利]薄膜晶体管型液晶显示屏源驱动芯片的多阈值数模转换器无效
| 申请号： | 200710018477.2 | 申请日： | 2007-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101102113A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 魏廷存;吴伟;丁行波 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/66 | 分类号： | H03M1/66;G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710075陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶显示屏 驱动 芯片 阈值 数模转换器 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管型液晶显示屏源驱动芯片的多阈值数模转换器。
背景技术
参照图4，文献“Jin-Ho Kim，Byong-Deok Choi，Oh-Kyong Kwon.1-Billion-Color TFT-LCD TVwith Full HD Format.Consumer Electronics，2005，pp：1042-1050”公开了一种全部采用NMOS管的数模转换器，其中所有NMOS管的衬底都接电源地VSS。选中的γ电压要经过N个串联的NMOS管才能到达模拟驱动Buffer，这N个串联的CMOS管的导通电阻与输出结点的等效寄生电容CPAR形成等效延时电路，导致数模转换器的动作速度降低。由于每个NMOS管的源极电压VS都大于0，且越接近VH端的NMOS管，其源极电压VS越大，而衬底电压VB都等于0，这样源极与衬底之间的电压VSB＞0，且越接近VH端的NMOS管，其源极与衬底之间的电压VSB越大，根据(1)式，这将导致NMOS管的阈值电压VTH增加，即体效应增强。另外，对于选通的NMOS管，其栅极电压为VDD，这样越接近VH端的NMOS管其栅极与源极之间的电压VGS越小。
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