[发明专利]一种定位铁红结晶釉的制备方法无效
申请号: | 200710018385.4 | 申请日: | 2007-07-31 |
公开(公告)号: | CN101121611A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 朱建锋;王芬;罗宏杰;杨海波;林营 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86;C03C8/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张震国 |
地址: | 710021陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 定位 结晶 制备 方法 | ||
1.一种定位铁红结晶釉的制备方法,其特征在于:
1)基础釉的制备:按质量百分比将40-45%的钾长石,10-15%的石英,5-8%的高岭土,5-8%的黄土,8-10%的滑石,5-6%的石灰石,12-15%的骨灰和7-12%氧化铁混合,细磨至250目,釉浆比重1.6-1.7g/cm3;
2)晶核剂制备方法:按质量百分比将30-70%的高岭土和30-70%的氧化铁混合、球磨、在1270-1300℃煅烧,冷却后粉碎成1mm左右的颗粒;
3)将晶核剂预埋在坯体需要形成晶体的位置上,预埋孔通常在=1mm左右,数量及分布根据需要自行调整;
4)将基础秞均匀施予预埋有晶核剂的陶瓷坯体之上,釉层厚度控制在0.7-1.0mm,从而得到半成品;
5)将半成品在1270℃-1300℃下用氧化焰烧成,保温10-30分钟后自然冷却至室温即可。
2.根据权利要求所述的定位铁红结晶釉的制备方法,其特征在于:按质量百分比将40%的钾长石,15%的石英,5%的高岭土,5%的黄土,10%的滑石,5%的石灰石,13%的骨灰和7%氧化铁混合,细磨至250目,釉浆比重1.6g/cm3;晶核剂制备方法:按质量百分比将30%的高岭土和70%的氧化铁混合、球磨、在1270℃煅烧,冷却后粉碎成1mm左右的颗粒;将晶核剂预埋在坯体需要形成晶体的位置上,预埋孔通常在=1mm左右,数量及分布根据需要自行调整;将基础秞均匀施予预埋有晶核剂的陶瓷坯体之上,釉层厚度控制在0.7mm得到半成品;将半成品在1270℃下用氧化焰烧成,保温20分钟后自然冷却至室温即可。
3.根据权利要求所述的定位铁红结晶釉的制备方法,其特征在于:按质量百分比将45%的钾长石,10%的石英,6%的高岭土,6%的黄土,8%的滑石,5%的石灰石,12%的骨灰和8%氧化铁混合,细磨至250目,釉浆比重1.7g/cm3;晶核剂制备方法:按质量百分比将50%的高岭土和50%的氧化铁混合、球磨、在1290℃煅烧,冷却后粉碎成1mm左右的颗粒;将晶核剂预埋在坯体需要形成晶体的位置上,预埋孔通常在=1mm左右,数量及分布根据需要自行调整;将基础秞均匀施予预埋有晶核剂的陶瓷坯体之上,釉层厚度控制在0.9mm得到半成品;将半成品在1290℃下用氧化焰烧成,保温30分钟后自然冷却至室温即可。
4.根据权利要求所述的定位铁红结晶釉的制备方法,其特征在于:首先按质量百分比将42%的钾长石,12%的石英,8%的高岭土,5%的黄土,8%的滑石,6%的石灰石,12%的骨灰和7%氧化铁混合,细磨至250目,然后釉浆比重1.7g/cm3浸釉;晶核剂制备方法:按质量百分比将70%的高岭土和30%的氧化铁混合、球磨、在1280℃煅烧,冷却后粉碎成1mm左右的颗粒;将晶核剂预埋在坯体需要形成晶体的位置上,预埋孔通常在=1mm左右,数量及分布根据需要自行调整;将基础秞均匀施予预埋有晶核剂的陶瓷坯体之上,釉层厚度控制在0.8mm得到半成品;将半成品在1280℃下用氧化焰烧成,保温10分钟后自然冷却至室温即可。
5.根据权利要求所述的定位铁红结晶釉的制备方法,其特征在于:首先按质量百分比将40%的钾长石,10%的石英,5%的高岭土,8%的黄土,8%的滑石,5%的石灰石,15%的骨灰和9%氧化铁混合,细磨至250目,然后釉浆比重1.6g/cm3浸釉;晶核剂制备方法:按质量百分比将40%的高岭土和60%的氧化铁混合、球磨、在1300℃煅烧,冷却后粉碎成1mm左右的颗粒;将晶核剂预埋在坯体需要形成晶体的位置上,预埋孔通常在=1mm左右,数量及分布根据需要自行调整;将基础秞均匀施予预埋有晶核剂的陶瓷坯体之上,釉层厚度控制在1.0mm得到半成品;将半成品在1300℃下用氧化焰烧成,保温15分钟后自然冷却至室温即可。
6.根据权利要求所述的定位铁红结晶釉的制备方法,其特征在于:首先按质量百分比将40%的钾长石,10%的石英,5%的高岭土,6%的黄土,9%的滑石,6%的石灰石,12%的骨灰和12%氧化铁混合,细磨至250目,然后釉浆比重1.7g/cm3浸釉;晶核剂制备方法:按质量百分比将60%的高岭土和40%的氧化铁混合、球磨、在1280℃煅烧,冷却后粉碎成1mm左右的颗粒;将晶核剂预埋在坯体需要形成晶体的位置上,预埋孔通常在=1mm左右,数量及分布根据需要自行调整;将基础秞均匀施予预埋有晶核剂的陶瓷坯体之上,釉层厚度控制在1.0mm得到半成品;将半成品在1280℃下用氧化焰烧成,保温25分钟后自然冷却至室温即可。
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