[发明专利]钨铜或钨银复合材料的制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及复合材料的制备工艺，特别涉及一种钨铜或钨银复合材料的制备工艺。

背景技术

钨铜复合材料是互不相溶的钨、铜两相均匀混合形成的假合金。它兼有钨、铜材料的本征物理性能，由于钨具有高的熔点、高的密度，低的膨胀系数和高的强度，铜具有很好的导电、导热性，因而WCu系复合材料因其具有良好的耐电弧侵蚀性、抗熔焊性及高强度、良好的导热性和导电性、而得到了广泛应用。它被广泛用于电力电子、中高压电器领域的阴极材料和电阻焊、电火花加工等离子体加热的电极材料以及其它领域，如射线靶材、高比重合金、火箭喷嘴、飞机喉衬等特殊用途的军工材料以及集成电路的引线框架、热沉基片材料等。

钨铜、钨银系列阴极材料主要有CuW50、CuW60、CuW70、CuW80、CuW90、AgW60、AgW70、AgW80、AgW90。目前制备钨铜、钨银阴极复合材料的方法主要有两种：(1)粉末冶金方法：即混粉、压制、烧结。但是，这种烧结制品的相对密度很低，大约仅为理论密度的90％左右。(2)熔渗法：将钨粉或掺入部分铜粉或银粉的混合粉压制成坯块，然后在坯块上放置所需的铜或银锭，将铜、银熔化，使铜、银渗入到压坯中的孔隙中，形成钨铜、钨银材料。以上两种方法都是通过制粉烧结固化的方法来实现的，因而都存在如下缺陷：(1)制粉过程难以避免金属Cu、Ag和W粉的污染问题，如氧、氮、夹杂物含量高；(2)由于采用压制、烧结的方法，所以难以避免产品中存在一定数量的孔洞，即致密度低，产品在使用过程中真空度容易被破坏；(3)作为硬质相——钨的颗粒圆整度较差，而且其分布也难于达到较高的均匀性。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种钨铜或钨银复合材料的制备工艺，用该工艺制造的复合材料含氧、含氮量低，夹杂物含量低，致密度高。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是这样实现的：本发明制备工艺包括下述步骤：

(1)、选用钨丝材，进行酸洗、清洁；

(2)、以铜丝或银丝为纬线，钨丝为经线，按照工艺要求进行二维编织；

所需钨丝的根数，由公式①确定；

公式①为 d W 2 4 π × h × N × ρ W ( a × b × h - d W 2 4 π × h × N ) × ρ Cu = M W M Cu ]]>

其中：a、b分别为所编网横截面的长和宽，h为钨丝高度，d_W为所用钨丝直径，N为钨丝的总根数，ρ_W、ρ_Cu分别为钨和铜或银的密度，M_W、M_Cu为钨和铜或银的质量百分含量；