[发明专利]一种SiC基多层管状复合陶瓷的制备方法无效
| 申请号: | 200710017631.4 | 申请日: | 2007-04-06 |
| 公开(公告)号: | CN101058512A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
| 发明(设计)人: | 薛涛;金志浩;王伟;王继平;乔冠军 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | C04B35/65 | 分类号: | C04B35/65;C04B35/624;C04B35/565 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李郑建 |
| 地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 sic 基多 管状 复合 陶瓷 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种仿生陶瓷的制备方法,特别涉及一种SiC/Si管状复合陶瓷的制备方法。
背景技术
目前层状复合陶瓷材料的成型工艺主要包括:(1)预制层片叠放成型:基体层和夹层材料均为预制片,按次序依次叠放进行压制成形。(2)干粉分层敷放压制成型:基体层和夹层材料均为干粉,依次敷放在模具中进行压制成型。(3)基片涂覆夹层材料浆液后层压成型:基体为预制片,夹层材料为料浆,涂覆后叠放压制成型。夹层材料料浆在基体层上的施加方法主要有:喷涂法;流延法;浸涂法。
在SiC体系层状复合陶瓷的制备中,传统方法大多采用上述复合成型工艺,并进行热压烧结。其中预制基片层成型工艺主要采用流延成型、轧膜成型、注浆成型、电泳沉积等,流延法和轧膜法相对采用得更为广泛一些。但预制基片层成型工艺较为复杂,同时采用热压烧结工艺增加了产品的制造成本。因此寻找一种加工简易,成本低的SiC基层状复合陶瓷成型制备工艺一直是人们所渴望的,如以纸张作为原料通过原位反应无压烧结制备SiC基层状复合陶瓷的方法,但在现有公开的文献中尚未见到相关报道及相关专利。
发明内容
本发明针对现有SiC基层状复合陶瓷的预制基片成型及热压烧结工艺制备方法复杂、产品制造成本高等缺陷予以改进,提供一种以纸张作为原料通过原位反应无压烧结制备SiC/Si管状复合陶瓷的方法,该方法可以充分利用纸张优异的可设计性,制造形状复杂的大型陶瓷构件,同时又可降低产品制造成本、节省资源和保护环境。
为了实现上述任务,本发明是采取如下技术方案予以实现:
1、硅溶胶制备:无水乙醇、正硅酸乙酯和蒸馏水按2:1:0.8的比例,预水解1小时。以浓氨水调节pH值为9-11,在电磁搅拌仪的搅拌下,水解2-6小时,得到硅溶胶。
2、陶瓷纸制备:将普通纸张在配好的硅溶胶中浸泡40分钟,烘干,纸张增重55%~65%,制成陶瓷纸。
3、管状试样制备:将酚醛树脂稀释成20%-40%浓度,按照1:2的比例与平均粒径为10μm的硅粉配制成浆料,均匀涂敷在陶瓷纸上,按仿生设计制成多层管状试样,120℃下2-4小时烘干,固化成型。
4、炭化:将预成型多层管状试样置于炭管炉内,在N2气保护下,以1℃/min的升温速度加热至800℃,保温1h,得到纸碳管;
5、烧结:将炭化后的纸碳管放入石墨坩埚中,然后将坩埚放入真空电阻炉中,抽真空40min后,以5℃/min升温速度加热到800℃后停止抽真空,再通入N2气并以2℃/min升温速度继续加热至1550℃±10℃,保温20min~80min;
6、排硅:保温后再次抽真空,并升温至1650℃±10℃,保温20min~40min,冷却后即制得SiC/Si多层管状复合陶瓷。
本发明的方法简单易行,所制备的陶瓷材料性能满足使用要求。通过这种方法制备的SiC/Si多层管状复合陶瓷,其弯曲强度在100Mpa以上,甚至超过了200Mpa,具有优异的力学性能。此外,本发明的制备方法还具有以下优点:(1)无压烧结,即在烧结的渗硅、排硅过程中无需对试样施加机械压力;(2)原位反应可实现净尺寸成型,即无论在成型还是在最终烧结后都能保持试样尺寸的最小变化;(3)原料来源广泛、价格低廉;(4)环境协调性好,不会造成污染,具有“绿色性”。
用本发明方法制备的SiC/Si管状复合陶瓷主要应用于腐蚀、磨损、高温环境,包括冶金、石油化工、机械、电力、矿山等行业,特别是各类管道、泵、阀、壳体等形状复杂的大型陶瓷构件,具有广泛的社会价值和经济价值。
附图说明
图1为本发明基于普通纸张制备SiC/Si管状复合陶瓷的工艺流程图。
图2为未处理过的普通纸张的SEM照片;
图3为经过硅溶胶处理过的陶瓷纸的SEM照片;
图4为炭化后的多孔碳试样横断面的扫描电镜照片;
图5为SiC/Si多层管状复合陶瓷的断面局部放大后的扫描电镜照片;
图6为SiC/Si多层管状复合陶瓷实物图。
以下结合附图及实施例对本发明作进一步得详细描述。
具体实施方式
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