[发明专利]一种氧化锆涂层制备工艺无效
申请号: | 200710011312.2 | 申请日: | 2007-05-16 |
公开(公告)号: | CN101307424A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 孙超;王启民;宫骏;王铁刚;刘山川;华伟刚;鲍泽斌;肖金泉;闻立时 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/22;C23C14/54 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化锆 涂层 制备 工艺 | ||
1.一种氧化锆涂层制备工艺,其特征在于:采用电弧离子镀技术在合金基体或电弧离子镀MCrAlY涂层上沉积ZrO2或Zr(Y)O2涂层;利用纯Zr或ZrY合金靶材在O2气氛内反应沉积ZrO2或Zr(Y)O2涂层;
电弧离子镀技术制备ZrO2涂层工艺参数为:采用纯Zr靶材;真空室的本底真空度为2×10-3~1×10-2Pa;对试样表面弧光轰击清洗时在真空室内通入Ar气,压强升至5×10-2~3×10-1Pa,加-800~-1000V的高偏压,轰击时间2~5分钟;然后通O2沉积ZrO2涂层,氧流量134~400sccm;靶基距230~250mm;基材温度300~400℃;脉冲偏压-100~-300V,占空比20~40%;电弧电压20~40V,电弧电流60~70A;沉积时间根据工件具体要求而定;
电弧离子镀技术制备Zr(Y)O2涂层工艺参数为:采用ZrY合金靶材;真空室的本底真空度为2×10-3~1×10-2Pa;对试样表面弧光轰击清洗时在真空室内通入Ar气,压强升至5×10-2~3×10-1Pa,加-800~-1000V的高偏压,轰击时间2~5分钟;然后通O2沉积Zr(Y)O2涂层,氧流量134~400sccm;靶基距230~250mm;基材温度300~400℃;脉冲偏压-100~-300V,占空比20~40%;电弧电压20~40V,电弧电流60~70A;沉积时间根据工件具体要求而定。
2.按权利要求1所述的氧化锆涂层制备工艺,其特征在于:该氧化锆涂层应用于Ni基、Co基及γ’-Ni3Al基高温合金;也应用于电弧离子镀MCrAlY涂层,以质量百分比计,MCrAlY涂层的成分为:Co为0~40%,Cr为15~40%,Al为6~16%,Y为0.1~1%,Si为0~2%,B为0~0.01%,Hf为0~1.5%,Ni为余量。
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