[发明专利]电场读/写头及其制造方法、数据读/写装置

权利要求书

1.一种电场读取头，包括：

半导体基板，包括面对记录介质的第一表面以及与该第一表面的边缘邻接的第二表面；

电阻区域，其是形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸的低密度杂质区域；

源极区域和漏极区域，其是形成在该电阻区域两侧且与该第一表面分隔开的高密度杂质区域；

电接触该源极区域的第一电极；以及

电接触该漏极区域的第二电极。

2.根据权利要求1的电场读取头，还包括绝缘层，其形成在该基板的该第一表面的所述边缘与该源极区域之间的部分第二表面、以及在该基板的该第一表面的所述边缘与该漏极区域之间的部分第二表面上。

3.根据权利要求1的电场读取头，还包括绝缘层，其形成在该基板的该第一表面的所述边缘与该源极区域之间的部分第二表面、在该基板的该第一表面的所述边缘与该漏极区域之间的部分第二表面、以及靠近该基板的该第一表面的所述边缘的部分源极区域和漏极区域上。

4.根据权利要求1的电场读取头，还包括绝缘层，其形成在该基板的该第一表面的所述边缘与该源极区域之间的部分第二表面、在该基板的该第一表面的所述边缘与该漏极区域之间的部分第二表面、以及该源极区域和漏极区域上。

5.根据权利要求1的电场读取头，还包括形成在该电阻区域上的绝缘层。

6.根据权利要求1的电场读取头，还包括形成在该基板的该第一表面上以将该电场读取头悬于该记录介质的表面之上的气垫面图案。

7.根据权利要求1的电场读取头，其中该基板是p型半导体，该电阻区域、该源极区域、以及该漏极区域是n型杂质区域。

8.根据权利要求1的电场读取头，其中该基板是n型半导体，该电阻区域、该源极区域、以及该漏极区域是p型杂质区域。

9.一种电场读/写头，包括：

半导体基板，包括面对记录介质的第一表面以及与该第一表面的边缘邻接的第二表面；

电阻区域，其是形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸的低密度杂质区域；

源极区域和漏极区域，其是形成在该电阻区域两侧且与该第一表面分隔开的高密度杂质区域；

写电极，形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间；

电接触该源极区域的第一电极；以及

电接触该漏极区域的第二电极。

10.根据权利要求9的电场读/写头，还包括绝缘层，其形成在该基板的该第一表面的所述边缘与该源极区域之间的部分第二表面、以及在该基板的该第一表面的所述边缘与该漏极区域之间的部分第二表面上。

11.根据权利要求9的电场读/写头，还包括绝缘层，其形成在该基板的该第一表面的所述边缘与该源极区域之间的部分第二表面、在该基板的该第一表面的所述边缘与该漏极区域之间的部分第二表面、以及靠近该基板的该第一表面的所述边缘的部分源极区域和漏极区域上。

12.根据权利要求9的电场读/写头，还包括绝缘层，其形成在该基板的该第一表面的所述边缘与该源极区域之间的部分第二表面、在该基板的该第一表面的所述边缘与该漏极区域之间的部分第二表面、以及该源极区域和该漏极区域上。

13.根据权利要求9的电场读/写头，还包括形成在该基板的该第一表面上以将该电场读/写头悬于该记录介质的表面之上的气垫面图案。

14.根据权利要求9的电场读/写头，其中该基板是p型半导体，该电阻区域、该源极区域、以及该漏极区域是n型杂质区域。

15.根据权利要求9的电场读/写头，其中该基板是n型半导体，该电阻区域、该源极区域、以及该漏极区域是p型杂质区域。