[发明专利]白光发光装置无效
| 申请号: | 200710007312.5 | 申请日: | 2007-01-19 | 
| 公开(公告)号: | CN101136446A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 | 
| 发明(设计)人: | 杨智杰;林治民;陈怡蓉;刘如熹 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 | 
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 | 
| 地址: | 台湾省台北县土*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 白光 发光 装置 | ||
1.一种白光发光装置,包含:
一个发光元件,该发光元件用于产生具有一第一波长范围的一第一色光;
一种氮化物荧光材料,包覆该发光元件,该氮化物荧光材料受该第一色光激发后,产生具有一第二波长范围的一第二色光;以及
一种氮氧化物荧光材料,包覆该发光元件,该氮氧化物荧光材料受该第一色光激发后,产生具有一第三波长范围的一第三色光,该第三色光与该第二色光以及该第一色光混合形成一白光。
2.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该第一色光为蓝光。
3.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该发光元件为一半导体元件,该半导体元件为III-V族元素的多元复合化合物。
4.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该第一波长范围为360nm~480nm。
5.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该第二色光为红光。
6.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该第二波长范围为560nm~760nm。
7.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该氮化物荧光材料的化学式为CaSiN2:Ce。
8.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该氮化物荧光材料的化学式为CaxSiyN3:Ce,且0<(x,y)<4。
9.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该第三色光为绿光。
10.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该第三波长范围为490nm~660nm。
11.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该氮氧化物荧光材料的化学式为SrSi2O2N2:Eu。
12.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于该氮氧化物荧光材料的化学式为Sr2-2xSiO4-yNy:Eu,且0<x<1,0<y<4。
13.一种白光发光二极管,包含:
一个发光元件,该发光元件是用于产生具有一第一波长范围的一蓝光;
一种氮化物荧光材料,包覆该发光元件,该氮化物荧光材料为一铈金属活化的氮化物,该氮化物荧光材料受该蓝光激发后,产生具有一第二波长范围的红光;以及
一种氮氧化物荧光材料,包覆该发光元件,该氮氧化物荧光材料为一铕金属活化的氮氧化物,该氮氧化物荧光材料受该蓝光激发后,产生具有一第三波长范围的绿光,该绿光与该红光以及该蓝光混合形成一白光。
14.如权利要求13所述的白光发光二极管,其特征在于该发光元件为一半导体元件,该半导体元件为III-V族元素的多元复合化合物。
15.如权利要求13所述的白光发光二极管,其特征在于该第一波长范围为360nm~480nm。
16.如权利要求13所述的白光发光二极管,其特征在于该第二波长范围为560nm~760nm。
17.如权利要求13所述的白光发光二极管,其特征在于该氮化物荧光材料的化学式为CaSiN2:Ce。
18.如权利要求13所述的白光发光二极管,其特征在于该氮化物荧光材料的化学式为CaxSiyN3:Ce,且0<(x,y)<4。
19.如权利要求13所述的白光发光二极管,其特征在于该第三波长范围大约为490nm~660nm。
20.如权利要求13所述的白光发光二极管,其特征在于该氮氧化物荧光材料的化学式为SrSi2O2N2:Eu。
21.如权利要求13所述的白光发光二极管,其特征在于该氮氧化物荧光材料的化学式为Sr2-2xSiO4-yNy:Eu,且0<x<1,0<y<4。
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