[发明专利]一种Si3N4单晶低维纳米材料可控掺杂的方法

权利要求书

1、一种Si₃N₄单晶低维纳米材料可控掺杂的新方法，其包括以下具体步骤：

1)球磨混合：将原料两种有机前驱体聚硅氮烷和异丙醇铝按不同比例置于球磨罐中行星球磨混合均匀；

2)低温交联固化：有机前驱体球磨混合均匀后在保护气氛下在260℃进行交联固化，得到非晶态固体；

3)高能球磨粉碎：将非晶态固体装入尼龙树脂球磨罐中在高能球磨机中进行干法球磨粉碎，球磨的同时引入催化剂，使得非晶态粉末与催化剂混合均匀，所述催化剂为FeCl₂，Fe，Fe(NO₃)₃，Al，Ni和Co中的一种；

4)高温热解：高能球磨后的混合物进行高温热解，在1300℃于保护气氛下热解一定时间即可得到具有不同掺杂量的单晶低维纳米材料。

2、根据权利要求1所述的Si₃N₄单晶低维纳米材料均匀可控掺杂的方法，其特征在于：所述步骤(1)中使用的原料为有机前驱体。

3、根据权利要求2所述的Si₃N₄单晶低维纳米材料均匀可控掺杂的方法，其特征在于：所述步骤(2)和(4)中，所使用的烧结炉为气氛烧结炉，所采用的保护气体为N₂或NH₃。