[发明专利]堆叠结构存储器的存储单元及其制造方法

权利要求书

1. 一种堆叠结构存储器的存储单元的制造方法，包括：

提供一基板；

形成一第一绝缘层于该基板上；

通过一第一气体及一第二气体进行沉积，以形成一储存层于该第一绝缘层上，且该第一气体的流量大于该第二气体的流量；

形成一第二绝缘层于该储存层上；

形成一位线区域于该基板；

形成一栅极于该第二绝缘层上，该第一绝缘层、该储存层、该第二绝缘层及该栅极为该存储单元的该堆叠结构；以及

形成一间隔物于该堆叠结构的侧壁。

2. 如权利要求1所述的制造方法，其特征在于该第一气体为二氯甲硅烷，该第二气体为氨气。

3. 如权利要求1所述的的制造方法，其特征在于该第一绝缘层的厚度为40～60埃。

4. 如权利要求1所述的的制造方法，其特征在于该储存层的厚度为50～90埃。

5. 如权利要求1所述的的制造方法，其特征在于该第二绝缘层的厚度为70～130埃。

6. 如权利要求1所述的的制造方法，其特征在于该第一气体及该第二气体的流量比例大约为1.1比1至3比1。

7. 一种堆叠结构存储器的存储单元，包括：

一基板，其具有一位线区域；

该堆叠结构，设置于该基板上，该位线区域是位于该堆叠结构的两侧，该堆叠结构至少包括：

多个绝缘层；

一储存层，设置于该些绝缘层之间，该储存层是通过一第一气体及一第二气体进行沉积而形成，该第一气体的流量大于该第二气体的流量；及

一栅极，设置于该堆叠结构的最顶层；以及

一间隔物，设置于该堆叠结构的侧壁。

8. 如权利要求7所述的的存储单元，其特征在于该第一气体的流量为200厘米³/分标准流量，该第二气体的流量为100厘米³/分标准流量。

9. 如权利要求8所述的的存储单元，其特征在于该第一气体为二氯甲硅烷，该第二气体为氨气。

10. 如权利要求7所述的的制造方法，其特征在于该第一气体及该第二气体的流量比例大约为1.1比1至3比1。

11. 如权利要求7所述的的制造方法，其特征在于该第一绝缘层为一氧化层。

12. 如权利要求7所述的的制造方法，其特征在于该储存层为一氮化层。

13. 如权利要求7所述的的制造方法，其特征在于该第二绝缘层为一氧化层。