[发明专利]光盘装置无效

专利信息
申请号: 200710006235.1 申请日: 2007-02-07
公开(公告)号: CN101211599A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 峯邑浩行;新谷俊通 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11B7/13 分类号: G11B7/13;G11B7/26;G11B7/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 曲瑞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光盘 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在记录介质上形成物理性质与其他的部分不同的记录标记,并从记录信息的光盘再生信息的光盘装置。

背景技术

作为光盘介质存在CD-R/RW、DVD-RAM、DVD±R/RW、Blu-rayDisc(以下记为BD)、HD DVD等许多种介质,具有两层数据层的介质也包含在内并被广泛地一般性地得以普及。作为对应的光盘装置,正在普及与CD-R/RW、DVD-RAM、DVD±R/RW的记录/再生对应的所谓的DVD超级多功能驱动器。可以认为今后与BD或HD DVD等对应的高功能驱动器将会普及。

作为下一代的大容量光盘提案有超常析像技术和SIL(SolidImmersion Lens)等,但是,作为超常析像技术中之一有在日本特开2006-107588号公报中有记载的技术。这是通过将熔融时光学特性发生变化的相变记录膜埋入凹坑(pit)中来进行超常析像再生,且通过将记录标记彼此在空间上分离来降低记录标记间的热干扰和超常析像区域的起伏的技术。通过这样的构成就可以同时使线密度和轨道密度提高,并可大幅度地增加光盘的记录容量。另外,通过使数据凹坑间的区域的透射率增大就可提高数据面的平均透射率,故光利用效率较高,还有利于多层化。以下,称该方式为三维凹坑选择方式。作为在凹坑内埋入记录膜的方法,可以利用在日本特开2005-100526号公报中记载的相变蚀刻法(利用结晶和非结晶的蚀刻速度之差异的方法)或CMP(Chemical Mechanical Polishing)法等物理研磨加工法。

当对超常析像光盘进行再生时,可从比光学分辨率还小的标记得到超常析像信号。另一方面,若有比光学分辨率还大的标记,可以得到与通常的光盘同样的信号。将其称之为正常析像信号。超常析像光盘的再生信号就是这样将超常析像信号和正常析像信号相加以后的非线性信号。从而,为了得到良好的比特误差率,就需要实施非线性处理,而不是一般的再生信号处理方法。

作为非线性的信号处理方法,作为依照再生信号的电平来使均衡系数变化的方法有日本专利第3781911号公报中记载的方法。另外,作为利用来自三个光点(spot)的再生信号来抑制来自相邻轨道的串扰的信号处理方法,有在日本特开2005-332453号公报中记载的方法。

专利文献1:日本特开2006-107588号公报

专利文献2:日本特开2005-100526号公报

专利文献3:日本专利第3781911号公报

专利文献4:日本特开2005-332453号公报

图2是表示三维凹坑选择方式盘的构成例的截面示意图。盘基板是以最短凹坑长约150nm、凹坑深68nm形成了RLL(1,7)调制图案的PC基板。作为反射膜使用AgPdCu合金膜(膜厚35nm),作为相变记录膜使用BiGeSbTe合金膜(膜厚15nm),作为保护膜使用Al2O3电介质膜(各膜厚如图所示)。在针对凹坑部的相变记录膜的埋入处理中使用CMP加工法。用装载了波长λ=405nm、物镜的开口数值NA=0.85的光头的评价装置对该再生信号进行了测定。这时光点的1/e2径(λ/NA)约476nm。

图3是表示再生信号的测定结果的图。在这里在线速度4.92m/s的条件下以再生功率采用0.3mW(低功率)和3.5mW(高功率)的两个条件来测定再生信号。图中的信号是进行了与再生功率对应的增益校正以后的信号。如从图中所看到那样,可知通过相变记录膜的熔融而产生超常析像效果,标记部的信号振幅增加。在该实验中,低功率再生时的振幅和高功率再生时的振幅的比率大概是1∶1.3。从而,超常析像信号的振幅相对于正常析像信号振幅大约是0.3。

图4是将高功率再生时得到的信号示意性地示出的图。如图所示,在正常析像信号中比光学分辨率还小的标记的振幅为零,超常析像信号则从比光学分辨率还小的标记也得到较大的信号振幅。超常析像盘的再生时所得到的信号是两者相加后的结果。另一方面,在如三维凹坑选择方式盘那样,利用热能量而得到超常析像效果的介质中,与热响应(thermal response)延迟的量相应地在超常析像信号中将产生延迟(图中的Δ)。这样,在将振幅和相位不同的两个信号进行相加以后的再生信号中不能希望良好的数据再生。若着眼于超常析像信号,就可以将正常析像信号当作串扰(crosstalk)。

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