[发明专利]使用半导体工艺制造压印模板的方法及所制得的压印模板

权利要求书

1.一种使用半导体工艺制造压印模板的方法，包括：

提供基板；

于该基板上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层；

于该氧化物层上形成蚀刻抵挡层；

于该蚀刻抵挡层上形成含硅层；

于该含硅层上形成光刻胶层；

将该光刻胶层以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形；

经由该多个开口蚀刻该蚀刻抵挡层、含硅层和氧化物层，以形成多个柱状凹洞；及

移除该光刻胶层、含硅层及该蚀刻抵挡层，而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。

2.如权利要求1的方法，其中，该多个柱状凹洞以微米尺寸、次微米尺寸、或纳米尺寸的节距规律周期排列。

3.如权利要求1的方法，其中，该基板包括硅。

4.如权利要求1的方法，其中，该氧化物层包括二氧化硅。

5.如权利要求1的方法，其中，该氧化物层以热氧化法或化学气相沉积法所制得。

6.如权利要求1的方法，进一步包括形成顶盖层覆盖该氧化物层。

7.如权利要求1的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该基板表面或对该基板继续蚀刻。

8.如权利要求1的方法，于形成该氧化物层时中断，进一步包括形成中间层于中断的氧化物层上，再接续形成该氧化物层。

9.如权利要求8的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该中间层上。

10.如权利要求1的方法，于形成该氧化物层之前，进一步包括于该基板上形成衬垫层，而于该衬垫层之上形成该氧化物层。

11.如权利要求10的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该衬垫层上。

12.一种使用半导体工艺制造压印模板的方法，包括：

提供基板；

于该基板上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层；

于该氧化物层上形成蚀刻抵挡层；

于该蚀刻抵挡层上形成含硅层；

于该含硅层上形成光刻胶层；

将该光刻胶层以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形；

经由该多个开口蚀刻该蚀刻抵挡层、含硅层和氧化物层，形成多个柱状凹洞；

移除该光刻胶层、含硅层及该蚀刻抵挡层；

于该多个柱状凹洞中填入材料层；及

部分移除该氧化物层，露出该材料层上部以成为多个柱状物，而形成压印模板。

13.如权利要求12的方法，其中，该多个柱状物以微米尺寸、次微米尺寸、或纳米尺寸的节距规律周期排列。

14.如权利要求12的方法，其中，该基板包括硅。

15.如权利要求12的方法，其中，该氧化物层包括二氧化硅。

16.如权利要求12的方法，其中，该氧化物层以热氧化法或化学气相沉积法所制得。

17.如权利要求12的方法，进一步包括形成顶盖层覆盖该氧化物层。

18.如权利要求12的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该基板表面上或对该基板继续蚀刻。

19.如权利要求12的方法，于形成该氧化物层之前，进一步包括于该基板上形成衬垫层，而于该衬垫层之上形成该氧化物层。

20.如权利要求19的方法，其中，对于该氧化物层的蚀刻停止于该衬垫层上。

21.如权利要求12的方法，于形成该氧化物层时中断，进一步包括形成中间层于中断的氧化物层上，再接续形成该氧化物层。

22.如权利要求21的方法，其中，所述部分移除该氧化物层是移除该氧化物层自该中间层至其顶部的部分。

23.如权利要求12的方法，其中该材料层包括选自钨、铜、铝、其合金、及多晶硅所组成的组群之一。