[发明专利]数据重写方法及应用该方法的重写装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种数据重写(覆写)方法及应用其的重写装置，且尤其涉及一种依据随机位置开始重写数据的数据重写方法及应用该方法的重写装置。

背景技术

随着数字科技的发展脚步，各种数字储存介质不断推陈出新。其中，盘片可记录数字数据及多媒体信息，并具有永久保存、携带方便、储存容量大及反复使用等优点，使得盘片广泛应用于日常生活中。

请参照图1，其示出盘片的示意图。盘片900包括一记录层910、二个保护层920及一反射层930。记录层910是可逆变结晶材料，例如是银铟鍗锑合金(Ag-In-Sb-Te)。保护层920是透明材料例如是硫化锌-氧化硅合成物(ZnS-SiO₂)。反射层930例如是铝(Al)。光学读写头(Optical pick-up unit，OPU)射出激光束810，并聚焦于记录层910上，以改变记录层910的结晶状态。不同的结晶状态具有不同的反射率，通过记录层910的不同结晶状态可纪录数字数据。

请同时参照图2A～2C，图2A示出记录层910的温度-时间变化曲线图。图2B示出记录层的非结晶状态的示意图，图2C示出记录层910的结晶状态的示意图。记录层910是可逆变结晶材料，其可反复改变于结晶(Crystalline)状态及非结晶(Amorphous)状态。

如图2A的写入区W所示，当重写装置的光学读写头800射出高功率的激光束810并聚焦于记录层910上时，记录层910的可逆变结晶材料迅速超过熔点温度T2(约为600℃)。接着，记录层910的可逆变结晶材料迅速冷却后，而形成图2B的非结晶状态。

如图2A的擦除区E所示，当重写装置的光学读写头800射出中等功率的激光束810并聚焦于记录层910上时，记录层910的可逆变结晶材料长时间位于结晶温度T1(约为350℃)至熔点温度T2之间。使得记录层910的可逆变结晶材料形成图2C的结晶状态。

当记录层910的可逆变材料形成非结晶状态时，记录层910具有低反射率。当记录层910的可逆变材料形成结晶状态时，记录层910具有高反射率。记录层910通过反射率的差异，记录各种数字数据。

请参照图3，其示出光学读写头800重写数字数据于记录层910的示意图。重写装置的光学读写头(OPU)800射出高功率、中功率或低功率的激光束810于记录层910上。重写前的记录层910具有数个非结晶区域910a及结晶区域910b。不论重写前的非结晶区域910a及结晶区域910b如何排列，经过重写后的非结晶区域910a及结晶区域910b均可排列成预定的状态。举例来说，当光学读写头反复射出高功率及低功率的激光束910于记录层910上时，可逆变结晶材料迅速超越熔点温度T2并迅速冷却，而形成非结晶区域910a。当光学读写头800稳定射出中功率的激光束810时，可逆变结晶材料稳定地形成结晶区域910b。其中，在非结晶区域910a的记录层910具有低反射率，在结晶区域910b的记录层910具有高反射率。高反射率的区域及低反射率的区域的转换处即代表数字数据为“1”，其余则代表“0”。

请参考图4，其示出一种传统的数据重写方法的示意图。盘片900具有数据区991～数据区995，数据区991具有起始位置S991。当光学读写头800欲重写数字数据711、数字数据712及数字数据713于数据区991、数据区992及数据区993时，光学读写头800从起始位置S991开始重写数字数据711、数字数据712及数字数据713。当光学读写头800欲将数字数据721、数字数据722及数字数据723再次重写于数据区991、数据区992及数据区993时，光学读写头800仍然从起始位置S991开始重写数字数据721、数字数据722及数字数据723。如上所述，两次数据均由起始位置S991开始重写。由于光学读写头800在开始启动时，其所射出的激光束810并不稳定，可能射出功率过高或功率过低的激光束810。功率过高的激光束810将使得起始位置S991的记录层910容易受到损伤，功率过低的激光束810将无法正确记录数字数据。