[发明专利]基于氮化物的半导体发光二极管

权利要求书

1.一种基于氮化物的半导体LED，包括：

衬底；

n型氮化物半导体层，形成在所述衬底上；

有源层，形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域上；

p型氮化物半导体层，形成在所述有源层上；

透明电极，形成在所述p型氮化物半导体层上；

p型电极焊盘，形成在所述透明电极上；

一对p型连接电极，形成为从所述p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近所述p型电极焊盘的所述透明电极的一侧具有小于90°的倾角；

n型电极焊盘，形成在所述n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得所述n型电极焊盘面向所述p型电极焊盘，

一对p电极，从所述p型连接电极的两端沿所述n型电极焊盘的方向延伸，所述p电极形成为与相邻的透明电极的一侧平行；以及

其中，所述n型电极焊盘进一步包括平行于相邻的所述n型氮化物半导体层的一侧延伸的一对n电极；

其中，所述n型电极焊盘形成在靠近所述n型氮化物半导体层最外侧的区域。

2.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体LED，其中，形成为线形的所述p型连接电极形成为直线或曲线。

3.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体LED，其中，所述p电极的末端相对于所述相邻的n型电极焊盘是倾斜的，以便彼此相对。

4.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体LED，其中，所述p型电极焊盘进一步包括另一个p电极，该p电极被定位在从所述p型连接电极延伸的p电极之间并直接朝所述n型电极焊盘的中心延伸。

5.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体LED，其中，所述透明电极进一步包括从所述n型电极焊盘朝所述p型电极焊盘延伸以暴露所述p型氮化物半导体层的顶部表面的线形槽，所述透明电极被所述线形槽平面分开。

6.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体LED，其中，所述线形槽形成为指状结构，其中所述线形槽被所述p型电极焊盘和所述p电极包围。

7.根据权利要求6所述的基于氮化物的半导体LED，其中，参照形成为彼此相对的所述n型电极焊盘和所述p型电极焊盘对称地形成所述指状结构。

8.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体LED，其中，所述线形槽暴露所述n型氮化物半导体层的顶部表面。

9.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体LED，进一步包括从所述p型电极焊盘延伸的另一对p电极，以便沿邻近所述p型电极焊盘的所述透明电极的一侧形成。

10.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体LED，进一步包括形成于所述衬底和所述n型氮化物半导体层之间的界面内的缓冲层。