[发明专利]稳定的非晶硅核电池无效
| 申请号： | 200710002566.8 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101236796A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳定 非晶硅 核电 | ||
1. 一个p-i-n型β伏电池，它由下列基于硅的薄膜层构成：
a)一个β活性p层，由氚原子浓度高于8％的硼掺杂的氚化非晶硅或非晶硅合金组成；
b)一个β活性n层，由氚原子浓度高于4％的磷掺杂的氚化非晶硅或硅合金组成；
c)一个本征i层，由没有氚等辐射性成分的、非掺杂的非晶硅或硅合金组成，并被放置在所述的β活性p层和所述的β活性n层之间。
2. 一种根据权利要求1所述的p-i-n型β伏电池，其特征在于：所述的β活性p层和所述的β活性n层的厚度在20-200纳米范围之内，氚的原子浓度在12-36％范围之内。
3. 一种根据权利要求1所述的p-i-n型β伏电池，其特征在于：所述的β活性p层、所述的本征i层和所述的β活性n层中至少有一层含有纳米硅或纳米硅合金。
4. 一个p-i-n型β伏电池，它由下列薄膜层构成：
a)一个第一β放射性接触层，具有足够大的导电率；
b)一个p层，由硼掺杂的非晶硅或硅合金组成，并被放置在所述的第一β放射性接触层上；
c)一个n层，由磷掺杂的非晶硅或硅合金组成；
d)一个本征i层，由没有氚或其它核辐射成分的非晶硅或硅合金组成，并被放置在所述p层和所述n层之间；
e)一个第二β放射性接触层，具有足够大的导电率，并被放置在所述n层之上。
5. 一种根据权利要求4所述的p-i-n型β伏电池，其特征在于：所述p层和所述n层中至少有一层由氚化硅薄膜或氚化硅合金薄膜组成。
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