[发明专利]增加引脚强度的半导体封装载膜与封装构造有效
| 申请号： | 200710000366.9 | 申请日： | 2007-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101231986A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 刘光华 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增加 引脚 强度 半导体 装载 封装 构造 | ||
1.一种增加引脚强度的半导体封装载膜，其特征在于包含：
一可挠性介电层；
复数个引脚，其是形成于该可挠性介电层上，其中至少一引脚是具有一弯折点；
一补强金属层，其是局部形成于该引脚上，以覆盖该弯折点；以及
一防焊层，其是形成于该可挠性介电层上，以至少覆盖该些引脚的一部位以及该补强金属层的一部位。
2.根据权利要求1所述的增加引脚强度的半导体封装载膜，其特征在于所述的每一引脚是具有一斜向的扇出线与一外引脚，该扇出线与该外引脚的最小夹角是介于90度至180度，该弯折点是位于该扇出线与该外引脚之间，且该外引脚是具有一不被该防焊层覆盖的外露表面。
3.根据权利要求2所述的增加引脚强度的半导体封装载膜，其特征在于所述的外引脚的一外露表面是形成有一电镀层，其是更形成于对应的整个引脚上以覆盖该补强金属层。
4.根据权利要求1所述的增加引脚强度的半导体封装载膜，其特征在于所述的补强金属层是概为ㄇ形截面的保护套。
5.根据权利要求1所述的增加引脚强度的半导体封装载膜，其特征在于所述的补强金属层是概为片条状的覆盖层。
6.一种半导体封装构造，其特征在于包含：
一载膜，其是包含：
一可挠性介电层；
复数个引脚，其是形成于该可挠性介电层上，其中至少一引脚是具有一弯折点；
一补强金属层，其是局部形成于该引脚上，以覆盖该弯折点；以及
一防焊层，其是形成于该可挠性介电层上，以至少覆盖该些引脚的一部位以及该补强金属层的一部位；以及
一晶片，其是设置于该载膜并电连接至该些引脚。
7.根据权利要求6所述的半导体封装构造，其特征在于所述的每一引脚是具有一斜向的扇出线与一外引脚，该扇出线与该外引脚的最小夹角是介于90度至180度，该弯折点是位于该扇出线与该外引脚之间，且该外引脚是具有一不被该防焊层覆盖的外露表面。
8.根据权利要求6所述的半导体封装构造，其特征在于所述的外引脚的一外露表面是形成有一电镀层，其是更形成于对应的整个引脚上以覆盖该补强金属层。
9.根据权利要求6所述的半导体封装构造，其特征在于所述的补强金属层是概为ㄇ形截面的保护套。
10.根据权利要求6所述的半导体封装构造，其特征在于所述的补强金属层是概为片条状的覆盖层。
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