[发明专利]有源分布式信号分离装置

说明书

技术领域

本发明通常涉及信号分离装置，更具体地涉及具有有利于成本效益的扩展性(expandability)的结构和改善的特征(例如针对输出信号的独立频率选择)的有源分布式信号分离(active distributed signal splitting)装置。

背景技术

信号分离装置为现有技术公知。通常，信号分离装置提供相应于给定输入信号的多个输出信号。传统信号分离装置的示例示于美国专利No.4,668,920和5,168,242中。这种传统装置由于各种原因被认为不太完善。例如，美国专利No.4,668,920中公开的信号分离装置的不足在于它的结构不利于扩展性。具体地，该信号分离装置采用树状结构，其中每个新的2路分离器部分必须连接到主2路分离器部分的输出。这类结构的缺点在于每个输出处的总噪声指数(noise figure)随着结构被扩展而明显地恶化。而且，这类结构需要附加的电路来构建具有奇数个输出的信号分离装置。

传统信号分离装置，诸如在美国专利No.5,168,242中所公开的，由于他们不能提供期望的特征也是不完善的。例如，这种传统信号分离装置没有提供针对输出信号的独立频率选择。同样，传统信号分离装置提供有限的功能性。因此，需要一种改进类型的信号分离装置。本发明解决了这些和/或其他问题。

发明内容

根据本发明的一方面，公开了一种有源分布式信号分离装置。根据示例性实施例，所述装置包括输入信号的源和多个输出点。包括场效应晶体管的信号分离器耦接在所述输入信号的所述源与所述多个输出点之间。与所述场效应晶体管相关联的所述输出点之一包括滤波器。

根据本发明的另一方面，公开了一种使用有源分布式信号分离装置来处理输入信号的方法。根据示例性实施例，所述方法包括步骤：接收输入信号；使用包括场效应晶体管的信号分离器提供对应于输入信号的多个输出信号；和过滤所述输出信号之一以便提供过滤的输出信号。

根据本发明的另一方面，公开了另一种有源分布式信号分离装置。根据示例性实施例，所述装置包括：用于从输入信号中提供多个输出信号的部件，该部件包括场效应晶体管；和用于过滤所述输出信号之一的部件。

附图说明

通过参考结合附图的本发明的实施例的下列描述，本发明的上述和其它特征和优点、以及获得它们的方式将变得更加明显，并且本发明将更好理解，其中：

图1是根据本发明示例性实施例的有源分布式信号分离装置的电路图；

图2是根据本发明另一示例性实施例的有源分布式信号分离装置的电路图；和

图3是根据本发明再一示例性实施例的有源分布式信号分离装置的电路图。

具体实施方式

此处阐述的范例图示了本发明的优选实施例，并且所述范例并不应当被理解为以任何方式限制本发明的范畴。

现在参考附图，更具体地参考图1，示出了根据本发明示例性实施例的有源分布式信号分离装置100的电路图。如图1所示的，有源分布式信号分离装置100包括：输入点(INPUT)、多个n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)Q1-Q3(每个具有相关的输出点A-C)、多个滤波器10-30、多个电感器L1-L5、和电阻器R1。有源分布式信号分离装置100采用一种成本效益高的扩展性而在每个输出不会明显地恶化噪声指数的结构。

通常，电感器L1-L5以及电阻器R1的值可被作为设计选择的事务而选择，并且可以取决于各种因素，例如额定分布式线阻抗、期望的输入信号带宽、以及取决于MOSFET Q1-Q3的栅极-源极电容和杂散电容的分布式线电容。根据示例性实施例，电感器L1和L4的值可以是电感器L2和L3的值的一半(即，电感器L1和L4中的每一个等于X亨利，而电感器L2和L3中的每一个等于X/2亨利)。电阻器R1例如可以具有50或75欧姆的值。根据设计选择也可以使用其它值。

在操作中，有源分布式信号分离装置100的输入点(INPUT)接收输入信号，该输入信号穿过MOSFET Q1-Q3的各个栅电极。根据示例性实施例，接收的输入信号可以是表示多个电视信号的宽带信号。一旦MOSFET Q1-Q3的各个栅电极接收到输入信号，该输入信号被耦接并传送到如表示为输出点A-C的各个漏电极。如图1所示，MOSFET Q1-Q3的漏电极分别耦接到滤波器10-30，并且MOSFET Q1-Q3的每个源电极耦接到地和各个晶体管的本体。