[发明专利]可调波长发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一组多量子阱，第一组中的每个多量子阱包括阱层和浸润层，所述阱层具有在其中形成的量子点或InGaN纳米结构，所述浸润层用于为所述每个多量子阱的阱层中的量子点或者InGaN纳米结构提供成核位置；以及

第二组多量子阱，所述第二组中的每个多量子阱形成为用以表现与所述第一组中的多量子阱相比移动了的光致发光峰值波长。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述量子点包括In原子。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其中所述第一组多量子阱包括3至5个多量子阱。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二组多量子阱包括2至5个多量子阱。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二组中的每个多量子阱包括基于Ga的势垒层和在基于Ga的势垒层上形成的基于Ga的阱层。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一组中的每个多量子阱包括基于Ga的势垒层，在基于Ga的势垒层上形成的基于InGa的浸润层，以及在基于InGa浸润层上形成的基于Ga的阱层。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其中在n型掺杂的基于Ga的层上形成所述第一组多量子阱，在第一组多量子阱上形成所述第二组多量子阱，在所述第二组多量子阱上形成基于Ga的覆盖层，以及在所述基于Ga的覆盖层上形成p型掺杂的基于Ga的层。

8.如权利要求7所述的发光二极管，进一步包括电触点，用于分别接触n型掺杂的基于Ga的层和p型掺杂的基于Ga的层。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一和第二组多量子阱被支撑在衬底上。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一组多量子阱和所述第二组多量子阱均包括一个由InGa/Ga，InGa/AlGa，Ga/AlGa和InGa/AlInGa组成的一组材料系统。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其中所述第一组多量子阱和所述第 二组多量子阱均包括所述材料系统的氮化物或磷化物。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述二极管组合的光致发光光谱覆盖400-800nm的可调波长范围。

13.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括步骤：

形成第一组多量子阱，第一组中的每个多量子阱包括阱层和浸润层，所述阱层具有在其中形成的量子点或InGaN纳米结构，所述浸润层用于为所述每个多量子阱的阱层中的量子点或者InGaN纳米结构提供成核位置；以及

形成第二组多量子阱，形成的所述第二组中的每个多量子阱用以表现出与所述第一组中的多量子阱相比移动了的光致发光峰值波长。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述量子点包括In原子。

15.如权利要求13或14所述的方法，其中所述第一组多量子阱包括3至5个多量子阱。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述第二组多量子阱包括2至5个多量子阱。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述第二组中的每个多量子阱包括基于Ga的势垒层和在基于Ga的势垒层上形成的基于Ga的阱层。

18.如权利要求13所述的方法，其中所述第一组中的每个多量子阱包括基于Ga的势垒层，在基于Ga的势垒层上形成的基于InGa的浸润层，以及在基于InGa浸润层上形成的基于Ga的阱层。

19.如权利要求18所述的方法，其中在n型掺杂的基于Ga的层上形成所述第一组多量子阱，在第一组多量子阱上形成所述第二组多量子阱，在所述第二组多量子阱上形成基于Ga的覆盖层，以及在所述基于Ga的覆盖层上形成p型掺杂的基于Ga的层。

20.如权利要求19所述的方法，进一步包括形成电触点，用于分别接触n型掺杂的基于Ga的层和p型掺杂的基于Ga的层。

21.如权利要求13所述的方法，其中所述第一和第二组多量子阱被支撑在衬底上。