[发明专利]切割/芯片焊接膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种切割/芯片焊接膜(ダイシング·ダイボンドフイル ム)。切割/芯片焊接膜，在切割前在工件(半导体晶片等)上付设用 于粘接碎片工件(チツプ状ワ一ク)(半导体芯片等)与电极构件的 胶粘剂的状态下，用于切割工件。另外，本发明涉及使用该切割/芯片 焊接膜的碎片工件的固定方法以及半导体装置的制造方法。此外，还 涉及通过该固定方法或制造方法胶粘固定碎片工件而得到的半导体装 置。

背景技术

在以往的半导体装置的制造中，在引线框和电极构件上粘接半导 体芯片时一直采用银浆。所述粘接处理是在引线框的压料垫等上涂布 浆料后，在其上搭载半导体芯片并使浆料层固化来进行。

电路图案形成的半导体晶片，根据需要通过背面研磨进行厚度调 节(背面研磨工序)后，切割成半导体芯片(切割工序)，将该半导 体芯片用胶粘剂粘接于引线框等被粘体上(芯片安装工序)，再进行 引线接合工序。在切割工序中，为了除去切割屑，通常在适度的液压 下洗涤半导体晶片。

在该处理工序中，在将胶粘剂另外涂布于引线框和形成芯片的方 法中，胶粘剂层的均匀化困难，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长 时间。因此，在下述专利文献1中提出了一种切割/芯片焊接膜，其在 切割工序中胶粘保持半导体晶片的同时，也提供芯片安装工序中所需 要的芯片粘接用的胶粘剂层。

该切割/芯片焊接膜，是通过以能剥离的方式在支撑基材上设置胶 粘剂层而形成的，在该胶粘剂层的保持下对半导体晶片进行切割后， 将支撑基材拉伸使形成芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，通 过该胶粘剂层粘接于引线框等被粘体上。

在此，切割/芯片焊接膜，要求在半导体晶片切割时具有使支撑基 材与胶粘剂层不发生剥离的强粘合力，而与此相对，要求在切割后半 导体芯片可以与胶粘剂层一起容易地从支撑基材上剥离。

但是，如果为上述结构的切割/芯片焊接膜，则难以调节胶粘剂层 的粘合力。因此，公开了通过在支撑基材与胶粘剂层之间设置粘合剂 层来使粘合性与剥离性达到良好平衡而构成的切割/芯片焊接膜(参照 下述专利文献2)。

但是，在切割工序中，切割电路图案形成的半导体晶片时，由切 割/芯片焊接膜产生丝状屑，有时粘附于半导体芯片和切割/芯片焊接膜 上。该丝状屑还会在后续工序即芯片安装工序、引线接合工序中粘附 于作为被粘体的有机衬底和引线框或半导体芯片上，不仅使作业性显 著下降，而且半导体芯片的可靠性也会下降，成为较大的课题。

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报(第1页)

专利文献2：日本特开平2-248064号公报(第1页)

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于提供抑制丝状 屑产生、并防止半导体芯片品质下降的切割/芯片焊接膜、使用该切割/ 芯片焊接膜的碎片工件的固定方法、通过该方法得到的半导体装置及 其制造方法。

本发明人为了实现上述目的进行了研究，结果发现：丝状屑的产 生是由于切割刀片对支撑基材的切割而引起的，通过采用下述结构， 完成了本发明。

即，本发明的切割/芯片焊接膜为了解决上述课题，其在支撑基材 上依次层压粘合剂层和芯片胶粘用胶粘剂层，其特征在于，上述粘合 剂层的厚度为10～80μm，23℃下的储藏弹性率为1×10⁴～1×10¹⁰Pa。

上述结构的发明通过使粘合剂层的厚度为10～80μm、使该粘合剂 层在23℃下的储藏弹性率在1×10⁴～1×10¹⁰Pa的范围内，由此将粘合 剂层的弹性成分(即硬度)设定在规定范围内。即，通过设定在上述 数值范围内，使切割时的切深止于粘合剂层，防止支撑基材被切割。 其结果可以防止丝状屑的产生。若储藏弹性率不足1×10⁴Pa，则例如 在切割工件时工件通过振动而移动。但是，通过设定在上述数值范围 内，抑制该现象，其结果实现了减少碎片状化工件的一部分破损的所 谓的碎屑。另外，若储藏弹性率超过1×10¹⁰Pa，则有时粘合剂层对于 芯片胶粘用胶粘剂层的粘合力不足。但是，若在上述数值范围内，则 抑制粘合力过度降低，其结果在切割/芯片焊接膜上确实地固定工件， 可以抑制切割时的芯片分散和错位的产生。

上述粘合剂层优选为放射线固化型粘合剂层。