[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1、一种氮化物半导体发光元件，具备由p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层把活性层夹住的结构，该活性层具有由阱层包含In的氮化物构成的量子阱结构，所述氮化物半导体发光元件特征在于，

在所述活性层p侧最近位置配置的阱层与所述p型氮化物半导体层之间形成的中间半导体层包含不掺杂的InGaN层，所述中间半导体层的膜厚是20nm以下。

2、如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述中间半导体层仅由不掺杂的InGaN层构成。

3、如权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述不掺杂的InGaN层的In组成比率是2.5％以下。

4、如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述中间半导体层由所述活性层的势垒层和不掺杂的InGaN层构成。

5、如权利要求4所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述不掺杂的InGaN层是In组成向所述p型氮化物半导体层减少的In组成倾斜层。

6、如权利要求5所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述In组成倾斜层的In倾斜是在达到形成所述p型氮化物半导体层的成长温度之前的温度上升过程中所形成。

7、如权利要求1～6中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，作为所述p型氮化物半导体层的一部分而形成与p电极接触的p型接触层，所述p型接触层由掺杂Mg的InGaN或掺杂Mg的GaN构成。

8、如权利要求7所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述不掺杂的InGaN层与p型接触层之间作为所述p型氮化物半导体层的一部分而形成掺杂Mg的p型Al_XGaN(0.02≤x≤0.15)。

9、如权利要求8所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述p型Al_XGaN(0.02≤x≤0.15)的空穴载流子浓度是2×10¹⁷cm^-3以上的范围。

10、如权利要求8或9所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述p型Al_XGaN(0.02≤x≤0.15)是以温度1000℃以上成长。

11、如权利要求1～10中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述阱层的In组成比率是10％以上，在从所述活性层的最靠近p侧位置配置的阱层成膜完成到所述p型氮化物半导体层的成膜完成的期间，成长温度为950℃以上的时间的合计是在30分钟以内。