[发明专利]微波芯片支撑结构无效
| 申请号: | 200680054394.2 | 申请日: | 2006-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN101427366A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
| 发明(设计)人: | P·利冈德 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;陈景峻 |
| 地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微波 芯片 支撑 结构 | ||
1.一种微波芯片支撑结构(1、1′、1"),其包括带有第一侧(3、50)和第二侧(4、51)的第一微波层压层(2、49),所述第一微波层压层(2、49)具有外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56),并且其中至少一个导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在所述第一层压层(2、49)的所述第一侧(3、50)上形成,所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)向所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56)延伸,其特征在于,所述微波芯片支撑结构(1、1′、1")还包括带有第一侧(34、58)和第二侧(35、59)的第二微波层压层(33、33′;57),所述第二层压层(33、33′;57)以如下方式固定至所述第一层压层(2、49),即所述第二层压层(33、33′,57)的所述第二侧(35、59)面向所述第一层压层(2、49)的所述第一侧(3、50)的至少一部分,所述第一层压层(2、49)和/或所述第二层压层(33、33′;57)包括至少一个凹槽(10、36、66),所述凹槽(10、36、66)设置为用于接纳要连接到所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)的微波芯片(11、67),其中所述第二层压层(33、33′;57)还延伸出所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56),所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在所述第二层压层(33、57)的所述第二侧(35、59)上延续而不接触所述第一层压层(2、49)。
2.如权利要求1所述的微波芯片支撑结构(1、1′),其特征在于,所述第一层压层(2)具有第一凹槽(10),所述微波芯片(11、67)插入到所述第一凹槽(10)中,所述微波芯片(11、67)具有顶侧(12)和底侧(13),所述底侧(13)面向导电接地平面(5),所述导电接地平面(5)固定至所述第一层压层(2)的所述第二侧(4),而且所述顶侧(12)设有芯片连接(15、16、17、18、19、20),将所述芯片连接(15、16、17、18、19、20)与所述导体(21、22、23、24、25、26)进行接触。
3.如权利要求2所述的微波芯片支撑结构(1、1′),其特征在于,所述底侧(13)具有电连接到所述接地平面(5)的至少一个接地连接(14)。
4.如权利要求2或3中任一项所述的微波芯片支撑结构(1),其特征在于,所述第二层压层(33)具有第二凹槽(36),所述第二凹槽(36)基本上具有与所述第一凹槽(10)相同的位置,但是更大,从而允许通过接合线(27、28、29、30、31、32)将所述芯片连接(15、16、17、18、19、20)与所述导体(21、22、23、24、25、26)进行接触。
5.如权利要求4所述的微波芯片支撑结构(1),其特征在于,所述第二凹槽(36)填充有保护性填料物质(47)。
6.如权利要求4或5中任一项所述的微波芯片支撑结构(1),其特征在于,护罩(48)置于所述第二层压层(33)的第一侧(34)上,罩住所述芯片(11)。
7.如权利要求2或3中的任一项所述的微波芯片支撑结构(1′),其特征在于,所述第二层压层(33′)罩住所述微波芯片(11),所述第二层压层(33′)携载部分进入所述第一凹槽(10)的所述导体(21、22、23、24、25、26),使它们能够获得与所述芯片连接(15、16、17、18、19、20)的直接接触。
8.如权利要求1所述的微波芯片支撑结构(1"),其特征在于,所述第二层压层(57)具有凹槽(66),所述凹槽(66)设置为接纳所述微波芯片(67),所述微波芯片(67)具有顶侧(68)和底侧(69),其中所述芯片(67)以如下方式设置为搁在所述第一层压层(49)的所述第一侧(50)上,即将所述芯片(67)的所述底侧(69)上的连接(70、71、72、73、74、75)与所述第一层压层(49)的所述第一侧(50)上形成的所述导体(60、61、62、63、64、65)进行接触。
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