[发明专利]有源矩阵基板、显示装置、电视接收机、有源矩阵基板的制造方法、栅极绝缘膜形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板、显示装置和制造方法。更详细而言，涉及液晶显示装置、EL(电致发光)显示装置等显示装置和在这些显示装置中所使用的有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

有源矩阵基板在液晶显示装置、EL(Electro Luminescence：电致发光)显示装置等有源矩阵型显示装置中广泛使用。在现有的有源矩阵型液晶显示装置中所使用的有源矩阵基板中，在基板上以交叉的方式配置的多条扫描信号线与多条数据信号线的各个交点处，设置有TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)等开关元件。而且，利用该TFT等的开关功能，向与TFT等连接的各个像素(电极)部适当地传送图像信号。此外，为了防止TFT等断开期间中的液晶层的自我放电或因TFT等的断开电流引起的图像信号的劣化，和为了用于液晶驱动中的各种调制信号的施加路径等，也存在有在各像素部设置有保持电容元件的有源矩阵基板。

作为在现有的有源矩阵型液晶显示装置中所使用的有源矩阵基板的结构，例如已知有以下基板(例如，参照专利文献1)。

此处，对现有的有源矩阵型液晶显示装置所具备的有源矩阵基板进行说明。图22是表示现有的有源矩阵基板的一个像素的平面图。

在现有的有源矩阵基板的各个像素区域200中，以矩阵状设置有多个像素电极51，在该像素电极51的周围，以相互交叉的方式设置有用于供给扫描信号的扫描信号线52和用于供给数据信号的数据信号线53。图22表示多个像素电极51中的一个。

此外，在这些扫描信号线52与数据信号线53的交叉部，设置有与像素电极51连接的作为开关元件的TFT54。在TFT54的栅极电极55上连接有扫描信号线52，通过输入扫描信号而驱动控制TFT54。并且，在TFT54的源极电极66a上连接有数据信号线53，输入数据信号。进一步，在TFT54的漏极电极66b上连接有漏极配线56。在该漏极配线56上连接有保持电容元件的一个电极(保持电容上电极)57，保持电容上电极57通过接触孔58与像素电极51连接。并且，保持电容(共用)配线59作为保持电容元件的另一个电极(保持电容下电极)发挥作用。

对上述有源矩阵基板200的TFT54的结构进行说明。首先，在透明绝缘性基板上设置有与扫描信号线52连接的栅极电极55，覆盖该栅极电极上设置有栅极绝缘膜。进一步，在栅极绝缘膜上以与栅极电极重叠的方式设置有半导体层，以覆盖半导体层的一部分的方式设置有源极电极66a和漏极电极66b。

但是，如上所述，在栅极绝缘膜为一层的结构的情况下，当在扫描信号线与数据信号线的交叉部，在栅极绝缘膜上产生小孔、裂缝等缺陷时，各信号线短路。为此，提出有使栅极绝缘膜为两层化的结构(例如，参照专利文献2)。

但是，在使栅极绝缘膜为两层化的情况下，因为在栅极电极与半导体层之间存在厚的栅极绝缘膜，所以存在TFT的特性劣化的问题。

作为避免该问题的方法，在专利文献3中公开有以下结构：在半导体层的下部使栅极绝缘层为单层结构(氮化硅膜)，在其以外的地方使该栅极绝缘层为多层结构(氧化硅膜和氮化硅膜)。在该方法中，需要通过光刻工序和干蚀刻工序，利用蚀刻等除去半导体层的下部的氧化硅膜。

专利文献1：日本国公开专利公报“特开平9-152625号公报(平成9年(1997)6月10日公开)”

专利文献2：日本国公开专利公报“特开平7-114044号公报(平成7年(1995)5月2日公开)”

专利文献3：日本国公开专利公报“特开平6-112485号公报(平成6年(1994)4月22日公开)”

发明内容

但是，特别是在大型的有源矩阵基板中，分多次进行在上述光刻工序中的曝光处理。这是因为不能对整个大型基板同时进行曝光的缘故。在此情况下，存在有在不同的曝光处理中，曝光图案错位，导致栅极电极与栅极绝缘膜的单层部分的相对的位置关系错位(发生对位偏差)的问题。如上所述，如果两者的位置关系错位，则在栅极电极与漏极电极之间形成的寄生电容(Cgd)在基板内发生偏差，例如引起在栅极断开时发生的漏极馈通电压的偏差，甚至引起显示品质的下降。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种有源矩阵基板，在该基板内的各TFT中具有栅极绝缘膜的薄的部分，能够抑制各个TFT的寄生电容(特别是Cgd)的基板内偏差，从而实现高的显示品质。