[发明专利]非球形半导体纳米晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种制备非球形半导体纳米晶体的方法，所述方法包括：

提供包含第一前体化合物、溶剂和表面活性剂的反应混合物，其中所述第一前体化合物包含第II族或第IV族元素；

使所述反应混合物与纯贵金属纳米颗粒晶种接触；

加热反应混合物；并且

在有效产生非球形半导体纳米晶体的条件下，将含有第VI族元素的第二前体化合物加入到所述加热的反应混合物中。

2.权利要求1的方法，其中所述第一前体化合物包含第II族元素。

3.权利要求2的方法，其中所述第II族元素选自镉和锌。

4.权利要求3的方法，其中所述第II族元素为镉。

5.权利要求2的方法，其中所述加热进行到约200-260℃的温度。

6.权利要求1的方法，其中所述第一前体化合物包含第IV族元素。

7.权利要求6的方法，其中所述第IV族元素为铅。

8.权利要求7的方法，其中所述第IV族元素为铅。

9.权利要求6的方法，其中所述加热进行到约130-170℃的温度。

10.权利要求1的方法，其中所述第VI族元素选自硒和硫。

11.权利要求10的方法，其中所述第VI族元素为硒。

12.权利要求1的方法，其中所述纯贵金属纳米颗粒晶种选自金、银、钯和铂。

13.权利要求1的方法，其中所述加热进行到低于贵金属纳米颗粒晶种熔融的温度。

14.权利要求1的方法，其中所述非球形半导体纳米晶体包括棒、多脚体和/或其混合物。

15.权利要求1的方法，所述方法进一步包括：

在所述加入后使加热的反应混合物猝灭。

16.权利要求15的方法，所述方法进一步包括：

在所述猝灭后洗涤并沉淀所述反应混合物。

17.权利要求1的方法，其中所述第一前体化合物以每ml反应混合物约0.06-0.2mmol的浓度存在于反应混合物中。

18.一种半导体纳米晶体群，所述纳米晶体群包含至少约90％非球形纳米晶体。

19.权利要求18的纳米晶体群，其中所述纳米晶体为第II-VI族纳米晶体。

20.权利要求19的纳米晶体群，其中所述纳米晶体为CdSe纳米晶体。

21.权利要求18的纳米晶体群，其中所述纳米晶体为第IV-VI族纳米晶体。

22.权利要求21的纳米晶体群，其中所述纳米晶体为PbSe纳米晶体。

23.权利要求18的纳米晶体群，其中所述群具有至少约8-11％的量子产额值。

24.权利要求18的纳米晶体群，其中所述非球形纳米晶体包括棒、多脚体和/或其混合物。

25.权利要求18的纳米晶体群，其中所述非球形纳米晶体包括T形、多支化、菱形和/或星形纳米晶体。

26.权利要求18的纳米晶体群，所述纳米晶体群包含至少约95％非球形纳米晶体。

27.权利要求18的纳米晶体群，其中所述非球形纳米晶体具有约2至约12的长径比。