[发明专利]具有抗反射涂层的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其至少一部分上具有抗反射涂层，所述涂层包含上覆于反射表面的 暗聚合物材料，其中通过粗糙化所述暗聚合物材料的顶部表面来增强所述暗聚合物 材料的抗反射率。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述暗聚合物材料是聚酰亚胺黑基质树脂。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路，其进一步包含：

含有晶体管和导体的衬底，使用所述抗反射涂层来覆盖所述衬底的至少一部分；

以及

在所述衬底上形成的光调制器阵列，所述光调制器阵列经配置以基于图像数据而 调制光。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述抗反射涂层由包含铝的保护层保护。

5.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述光调制器阵列包含多个个别光调制器， 每一个别光调制器具有有源区域，且其中不为有源区域的光调制器阵列的部分也使 用由暗聚合物基质形成的抗反射涂层来覆盖。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述光调制器阵列是微镜阵列，其中每一微 镜的所述有源区域是镜，且其中所述镜的边缘是使用由暗聚合物基质形成的抗反射 涂层来涂覆。

7.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述光调制器阵列是液晶元件阵列，其中在 每一液晶元件周围的区域中布设配线，且其中每一液晶元件周围的所述区域使用由 暗聚合物基质形成的抗反射涂层来涂覆。

8.一种在集成电路的至少一部分上形成抗反射涂层的方法，所述方法包含：

在反射表面上施加暗聚合物材料；

固化所述暗聚合物材料；以及

粗糙化所述暗聚合物材料的顶部表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述粗糙化包含在灰化腔室中灰化所述暗聚合物 材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述灰化包含：

在给定压力下将氧气注入到所述灰化腔室中，其中所述给定压力大致等于50标 准立方厘米/分钟；以及

在电极到晶片的间距在0.09到1.3密耳的范围内且气体激励电源在180到250 瓦的范围内的情况下，施加指定压力并持续小于一分钟的时期，其中所述指定压力 在700到850毫托的范围内。

11.根据权利要求8到10中任一权利要求所述的方法，其进一步包含：在所述粗糙化 之后，在所述暗聚合物材料上溅射金属涂层；以及氧化所述金属涂层；其中溅射期 间所需要的温度低于所述暗聚合物材料的固化温度。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述溅射用于溅射选自包含以下各项的群组的材 料：铝、铝合金、钨、钨合金、铜、铜合金、钴、钴合金、钛和钛合金。