[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放单元；和

靠近上述第二组成物释放单元的固体电解质区域，

通过使上述第二组成物释放单元供给的上述第二组成物在上述固体电解质区域中移动而使电阻从高电阻状态变化为低电阻状态来存储信息，

上述固体电解质区域具有平坦的第一区域和在上述第一区域的周围相对于第一区域而倾斜的第二区域，

在上述第一区域内上述第二组成物释放单元与上述固体电解质区域相接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一组成物是金属或半导体与由氧、硫、硒、碲、氮、碳构成的组中的至少1种元素的化合物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一组成物的主要成分是氧化钽。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第二组成物是金属或半金属元素。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第二组成物是铜或银。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第二组成物释放单元包括：由上述第一组成物形成的第一部分；和由上述第二组成物形成的第二部分。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

在上述第二部分中，上述第二组成物以金属的状态存在。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一组成物的金属或半导体与由氧、硫、硒、碲、氮、碳构成的组中的至少1种元素之间的结合力大于上述第二组成物与由氧、硫、硒、碲、氮、碳构成的组中的至少1种元素之间的结合力。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一组成物的熔点比上述第二组成物的熔点高。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第二组成物释放单元中的上述第二组成物的比率为30原子％以上70原子％以下。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述固体电解质区域以硫属元素化物、氧化物或有机物为主要成分。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述固体电解质区域由硫属元素化物构成，

上述硫属元素化物是由以下元素构成的：

从由钽、钼和钛构成的组中选择出的至少1种元素；和

硫属元素。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于：

上述硫属元素是硫。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述固体电解质区域由氧化物构成，

上述氧化物是由以下元素构成的：

从由钨和钽构成的组中选择出的至少1种元素；和

氧元素。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

还具有靠近上述固体电解质区域的第二电极。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

还具有导电体部，该导电体部电连接着上述第二组成物释放单元的与上述固体电解质区域相对的一侧的相反侧，

上述第二组成物释放单元与上述固体电解质区域的接触面积小于上述导电体部的与上述第二组成物释放单元连接的一侧的面的面积。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于：

上述导电体部是导电性插塞。

18.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于：

上述第二组成物释放单元具有圆顶状的形状。