[发明专利]离子源、系统和方法

权利要求书

1.一种使用气体场离子源的方法，包括：

通过将气体与气体场离子源相互作用而产生离子束；

所述离子束与半导体物品相互作用以便引起粒子离开所述半导体物品， 所述半导体物品具有包括第一和第二层的多个叠层；

探测所述粒子以提供图像，在图像中所述第一层中的特征与第二层中的 特征叠加；以及

根据所述图像编辑所述半导体物品。

2.根据权利要求1的方法，其中所述方法不包括使用对准标记。

3.根据权利要求1的方法，其中所述离子束在所述半导体物品上具有 10nm或更小尺寸的斑点尺寸。

4.根据权利要求1的方法，其中所述粒子包括一次中性粒子和光子。

5.根据权利要求4的方法，还包括处理所述粒子的信息以便提供所述 半导体物品的表面下信息。

6.根据权利要求1的方法，其中所述粒子包括一次中性粒子(primary  neutral particles)。

7.根据权利要求6的方法，其中所述方法包括确定所述一次中性粒子 的对应的角度和能量。

8.根据权利要求6的方法，其中所述方法包括确定所述粒子的总丰度。

9.根据权利要求1的方法，其中所述粒子选自由X射线光子、IR光子、 可见光子和UV光子构成的组。

10.根据权利要求1的方法，其中所述方法包括使用能量解析探测器探 测所述粒子。

11.根据权利要求1的方法，其中所述方法包括使用波长解析探测器探 测所述粒子。

12.根据权利要求1的方法，其中所述半导体物品包括电路。

13.根据权利要求12的方法，其中所述方法包括编辑所述电路。

14.根据权利要求13的方法，其中编辑所述电路包括添加材料至所述 电路。

15.根据权利要求14的方法，其中编辑所述电路包括从所述电路去除 材料。

16.根据权利要求13的方法，其中编辑所述电路包括从所述电路去除 材料。

17.根据权利要求1的方法，其中所述离子束具有1×10^-16cm²srV或更 小的减小的集光率(reduced etendue)。

18.根据权利要求1的方法，其中所述离子束具有5×10^-21cm²sr或更小 的集光率。

19.根据权利要求1的方法，其中所述离子束在所述半导体物品的表面 具有5×10⁸A/m²srV或更大的减小的亮度(reduced brightness)。

20.根据权利要求1的方法，其中所述离子束在所述半导体物品的表面 具有1×10⁹A/cm²sr或更大的亮度。

21.根据权利要求1的方法，其中所述离子束在所述半导体物品的表面 具有10nm或更小的尺寸的斑点尺寸。

22.根据权利要求1的方法，其中所述方法使用气体场离子显微镜进行。

23.根据权利要求1的方法，其中所述方法使用氦离子显微镜进行。

24.根据权利要求1的方法，其中所述方法通过离子束扫描过所述半导 体物品进行。

25.根据权利要求1的方法，其中所述方法通过氦离子束扫描过所述半 导体物品进行。