[发明专利]半导体装置和显示装置无效
| 申请号： | 200680050933.5 | 申请日： | 2006-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101356650A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 安松拓人 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1333;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 | ||
1. 一种半导体装置，其在基板上具有第一电路元件和第二电路元 件，所述第一电路元件具有依次叠层有第一半导体层、第一绝缘膜、 第一导电层和第三绝缘膜的结构，所述第二电路元件具有依次叠层有 第二半导体层、膜厚比第一绝缘膜的膜厚大的第二绝缘膜和第二导电 层的结构，其特征在于：
该第一绝缘膜具有最上层由氮化硅构成的叠层结构，
该第二绝缘膜由具有第一绝缘膜的叠层结构的下层部、和包括第 一导电层上的第三绝缘膜的结构的上层部构成。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第二绝缘膜的上层部的最下层由氮化硅构成。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第二绝缘膜的上层部的最下层由氧化硅构成。
4. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一绝缘膜的最下层和所述第二绝缘膜的最下层由氧化硅构 成。
5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第二绝缘膜的下层部和所述第一绝缘膜具有依次叠层有氧化 硅层和氮化硅层的结构，
所述第二绝缘膜的上层部为氮化硅层。
6. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第二绝缘膜的下层部和所述第一绝缘膜具有依次叠层有氧化 硅层和氮化硅层的结构，
所述第二绝缘膜的上层部为氧化硅层。
7. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体装置的第一电路元件和第二电路元件为薄膜晶体管。
8. 根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一电路元件为驱动电路部的薄膜晶体管，
所述第二电路元件为像素电路部的薄膜晶体管。
9. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一电路元件或第二电路元件具有贯通氮化硅层的接触孔。
10. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体装置的第一电路元件为薄膜晶体管，第二电路元件为 保持电容元件。
11. 根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一电路元件为驱动电路部的薄膜晶体管，
所述第二电路元件为像素电路部的保持电容元件。
12. 一种半导体装置的制造方法，其为权利要求1所述的半导体 装置的制造方法，其特征在于：
该制造方法通过同一工序形成第二绝缘膜的下层部和第一绝缘 膜。
13. 一种半导体装置的制造方法，其为权利要求1所述的半导体 装置的制造方法，其特征在于：
该制造方法通过同一工序形成第三绝缘膜的至少一部分和第二绝 缘膜的上层部。
14. 一种半导体装置，其在基板上具有第一电路元件和第二电路元 件，所述第一电路元件具有依次叠层有第一半导体层、第一绝缘膜和 第一导电层的结构，所述第二电路元件具有依次叠层有第二半导体层、 膜厚比第一绝缘膜的膜厚大的第二绝缘膜和第二导电层的结构，其特 征在于：
该第二绝缘膜由如下两部分构成：最上层由氮化硅构成的下层部、 和具有第一绝缘膜的结构的上层部。
15. 根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一电路元件在第一半导体层下具有第三绝缘膜，
所述第二绝缘膜的下层部包括第一半导体层下的第三绝缘膜的结 构。
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