[发明专利]使用临时帽层产生受到覆盖的穿透衬底的通道

权利要求书

1.一种产生带有至少一个受到覆盖的穿透衬底的通道的半导体衬底 的方法，所述通道使第一衬底面和相对的第二衬底面电相连，所述方法 包括以下步骤：

在第一衬底面上的通道预定位置，产生衬底沟槽；

将由帽层材料构成的牺牲帽层按照构图方式应用于第一衬底面上， 从而用所述帽层材料完全覆盖、并部分或完全填充衬底沟槽，所述帽层 材料在阈值温度以下热稳定且在阈值温度以上分解；以及

在阈值温度以下的温度，提供覆盖衬底沟槽上的牺牲帽层的覆盖层； 从第二衬底面打开衬底沟槽以将沟槽转变为穿透衬底的通孔；

让牺牲帽层在阈值温度以上的温度分解，并去除牺牲帽层的所有分 解产物；以及

从第二衬底面在衬底沟槽中应用导电材料，以便提供延伸至第二衬 底面的穿透衬底。

2.根据权利要求1中所述的方法，其中在应用牺牲帽层之前在第一 衬底面上沉积绝缘层，所述绝缘层覆盖衬底沟槽的所有内表面并且适合 于将所述衬底与穿透衬底的通道电隔离。

3.根据权利要求2中所述的方法，所述方法包括，在衬底沟槽中应 用导电材料步骤之前，在绝缘层上产生扩散阻挡层的步骤，所述扩散阻 挡层用于防止导电材料扩散至绝缘层或者衬底中。

4.根据权利要求1中所述的方法，其中所述衬底沟槽中的导电材料 包括金属或者合金。

5.根据权利要求1中所述的方法，其中所述衬底沟槽在牺牲帽层分 解之前从第二衬底面打开，以及从第二衬底面上的穿透衬底的通孔的开 口端去除分解产物。

6.根据权利要求5中所述的方法，其中所述提供覆盖层的步骤包括 沉积金属层，因而形成覆盖衬底沟槽上的填充材料的导电覆盖层。

7.根据权利要求1中所述的方法，其中所述按照构图方式应用牺牲 帽层的步骤包括在第一衬底面上沉积帽层材料以及无掩模地去除牺牲帽 层的步骤。

8.根据权利要求1中所述的方法，其中所述帽层的去除通过用PECVD 沉积绝缘层进行。

9.根据权利要求8中所述的方法，其中所述绝缘层是钝化层。

10.根据权利要求1中所述的方法，其中所述阈值温度高于300℃， 低于450℃。

11.一种产生带有至少一个受到覆盖的穿透衬底的通道的半导体衬 底的方法，所述通道使第一衬底面和相对的第二衬底面电相连，所述方 法包括以下步骤：

在第一衬底面上的通道预定位置，产生衬底沟槽；

将由帽层材料构成的牺牲帽层按照构图方式应用于第一衬底面上， 从而用所述帽层材料完全覆盖、并部分或完全填充衬底沟槽，所述帽层 材料在阈值温度以下热稳定且在阈值温度以上分解；以及

在阈值温度以下的温度，提供覆盖衬底沟槽上的牺牲帽层的覆盖层， 其中所述覆盖层带有孔洞；

让牺牲帽层在阈值温度以上的温度分解，并且牺牲帽层的所有分解 产物穿过所述孔洞而被去除；

从第二衬底面打开衬底沟槽以将沟槽转变为穿透衬底的通孔；以及

从第二衬底面在衬底沟槽中应用导电材料，以便提供延伸至第二衬 底面的穿透衬底。

12.根据权利要求11中所述的方法，其中所述覆盖层是多孔层。

13.根据权利要求11或12中所述的方法，其中在去除牺牲帽层分 解产物之后，在覆盖层上产生导电覆盖层。

14.一种用于产生包括衬底的电子器件的方法，所述衬底具有与至 少一个穿透衬底的通道电连接的电子电路元件，所述通道使第一衬底面 和相对的第二衬底面电连接，其中：

执行权利要求1中所述的方法，以便产生至少一个受到覆盖的穿透 衬底的通道，以及

在提供覆盖层之后，从第二衬底面打开衬底沟槽之前，在第一衬底 面上提供至少一个电子电路元件层。