[发明专利]单片LNA支持IC

权利要求书

1.一种低噪声放大器，包括：

多个FET，被布置为处理由放大器接收的信号；

电源输入端，被布置为接收用以操作低噪声放大器的电能；以及

单片支持IC，

其中，所述单片支持IC包括：

FET控制电路，被布置为监视并控制每个FET的漏极电流；

FET选择电路，被布置为检测提供至电源输入端的电压信号的DC分量的 电平，并根据所检测的DC电平给所述FET控制电路提供FET选择信号，所述 FET控制电路响应于所述FET选择信号而禁用所述多个FET中的两个FET中 所选的一个；

电压调节电路，连接至电源输入端，并适于根据到所述电源输入端的电 压信号产生调节后的输出电压；以及

负电源发生器电路，连接以接收调节后的输出电压，并被布置为根据调 节后的输出电压产生负电源电压，并将所述负电源电压提供给FET控制电路， 将所述FET控制电路布置为使用所述负电源电压来给FET提供负栅极驱动电 压，

其中该低噪声放大器还包括位于单片支持IC的外部、并被布置为承载校 准电流的校准电阻器；

其中所述FET控制电路被配置为监视所述多个FET的其中至少一个的漏 极电流，并且通过一对晶体管监视校准电流，该对晶体管中的其中一个被配置 为承载漏极电流，而另一个被配置为承载校准电流；以及

其中所述一对晶体管具有彼此不同的面积。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，所述电源输入端是信 号输出端，所述低噪声放大器被布置为从所述信号输出端输出放大的信号，以 便连接至所述信号输出端的设备接收。

3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其中，所述信号输出端是RF 信号输出端。

4.根据权利要求1-3中任一所述的低噪声放大器，其中，所述多个FET 是GaAs FET。

5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，还包括用于调整所述每个FET 的漏极电流的装置。

6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其中，所述用于调整的装置 包括：电阻器，其电阻确定FET的漏极电流。

7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其中，所述电阻器连接在地 和FET控制电路之间。

8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，FET控制电路被布置 为控制每个FET的漏极电流、漏极电压、栅极电流和栅极电压。

9.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，负电源发生器被布置 为将负电源电压提供给单片支持IC外部的低噪声放大器中的至少一个组件。

10.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，电压调节电路被布置 为提供用于操作单片支持IC外部的低噪声放大器的组件所需要的所有电源。

11.根据权利要求1所述的低噪声放大器，还包括两个本地振荡器， 其中，所述单片支持IC还包括：

AC信号检测电路，被布置为：检测提供至电源输入端的电压信号的AC 分量，并根据所检测的AC分量提供AC分量检测信号；以及

本地振荡器控制电路，被布置为：接收AC分量检测信号，并根据接收 到的AC分量检测信号选择性地操作两个本地振荡器中的一个。

12.根据权利要求11所述的低噪声放大器，其中，所述本地振荡器控制 电路被布置为：通过选择性地将电源切换至本地振荡器，来选择性地操作本地 振荡器。

13.根据权利要求11所述的低噪声放大器，其中，所述本地振荡器是 MIMIC振荡器，每个MIMIC振荡器要求栅极驱动操作，以及其中本地振荡器控 制电路通过切换栅极驱动来选择性地操作本地振荡器。

14.根据权利要求11所述的低噪声放大器，其中，将本地振荡器操作 的选择布置为确定低噪声放大器的操作频带。