[发明专利]使用超薄敏感层的有机光伏单元有效
申请号: | 200680049936.7 | 申请日: | 2006-10-26 |
公开(公告)号: | CN101351904A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | B·P·兰德;S·R·福里斯特 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李帆 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 超薄 敏感 有机 单元 | ||
1.光敏器件,包含:
第一电极和第二电极;
位于所述第一电极和所述第二电极之间的一系列有机光活性层,所 述系列中的各层与该系列中的下一层直接接触,对所述系列有机光活性 层进行设置以形成至少一个施主-受主异质结,所述系列包含:
充当施主的含有第一基质材料的第一有机光活性层;
位于所述第一有机光活性层和第三有机光活性层之间的含有 第二基质材料的第二有机光活性层,所述第二有机光活性层是具有穿过 其的多个开口的单一层;
和充当受主的含有第三基质材料的第三有机光活性层;
其中第一基质材料、第二基质材料和第三基质材料是不同的,且
其中第二有机光活性层相对于第一有机光活性层充当受主或者相 对于第三光活性层充当施主,并且在第二有机光活性层的大部分区域 上,从第二有机光活性层的第二基质材料内任一点到该层边界的距离不 大于一个激子扩散长度。
2.权利要求1的光敏器件,其中第一有机光活性层通过所述开口 与第三有机光活性层直接接触。
3.权利要求1的光敏器件,其中第二有机光活性层包括多个包含 第二基质材料的岛状物,第一有机光活性层与第三有机光活性层在所述 岛状物之间直接接触。
4.权利要求1的光敏器件,其中所述第二基质材料是小分子。
5.权利要求4的光敏器件,其中所述第一基质材料和所述第三基 质材料是小分子。
6.权利要求4的光敏器件,其中第二基质材料在跨600nm至900 nm的波段具有至少5×104cm-1的吸收系数。
7.权利要求1的光敏器件,其中第一有机光活性层、第二有机光 活性层和第三有机光活性层的每一个具有不同的吸收谱。
8.权利要求1的光敏器件,其中第二有机光活性层充当施主,并 且第一基质材料和第二基质材料具有不同的吸收谱。
9.权利要求8的光敏器件,其中第二基质材料的HOMO比第一基质 材料的HOMO高,且第二基质材料的HOMO与第一基质材料的HOMO之间 的差异不大于0.16eV。
10.权利要求8的光敏器件,其中第二基质材料的带隙小于第一基 质材料的带隙。
11.权利要求8的光敏器件,其中第二基质材料具有小于1×10-9cm2/Vs的空穴迁移率并且在跨600nm至900nm的波段具有至少5×104cm-1的吸收系数。
12.权利要求8的光敏器件,其中第二基质材料选自酞菁锡 (II)(SnPc)和酞菁铅(PbPc)。
13.权利要求12的光敏器件,其中第三基质材料是C60。
14.权利要求1的光敏器件,其中第二有机光活性层充当受主,并 且第二基质材料和第三基质材料具有不同的吸收谱。
15.权利要求14的光敏器件,其中第二基质材料的LUMO比第三基 质材料的LUMO低,且第二基质材料的LUMO与第三基质材料的LUMO之 间的差异不大于0.16eV。
16.权利要求14的光敏器件,其中第二基质材料的带隙小于第三 基质材料的带隙。
17.权利要求1的光敏器件,其中第二有机光电导层的厚度不大于
18.权利要求17的光敏器件,其中第二有机光电导层的厚度不大 于
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择