[发明专利]具有柔顺性端子安装装置的微电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造芯片组件的方法，包括：

(a)形成电介质结构以便通过模具的工作表面使所述电介质结构的第 一表面成形；

(b)将所述电介质结构转移到包括一个或多个芯片区的晶片元件的表 面上，以便所述电介质结构的第一表面背对所述晶片元件，而所述电介质 结构的第二表面面向所述晶片元件；

(c)在所述电介质结构的所述第一表面上设置端子；以及

(d)将所述端子电连接到所述晶片元件的触点；

其中：

形成步骤包括使所述电介质结构具有多个间隔的背离所述第二表面突 出的突起以及所述突起之间的间隙，至少一些所述突起是远离所述电介质 结构的其它部分的绝缘突起；

设置端子的步骤包括在所述突起上设置至少一些所述端子；并且

该方法还包括在形成步骤与转移步骤之间使所述绝缘突起保持在相对 于所述电介质结构的所述其它部分的适当位置处。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述电介质结构仅由所述绝缘突起 构成。

3.如权利要求1所述的方法，其中执行所述形成步骤以便在远离所述 第一表面的所述电介质结构中形成空腔，并且执行所述设置端子的步骤以 便设置至少一些与所述空腔对准的所述端子。

4.如权利要求3所述的方法，还包括设置打开到所述芯片组件外部的 通气孔的步骤，所述通气孔与至少一些所述空腔相通。

5.如权利要求1所述的方法，其中设置端子的步骤包括：在所述模具 的工作表面上设置金属层，以便在形成步骤期间将金属层设置在所述电介 质结构的所述第一表面与所述模具之间并在转移步骤期间将所述金属层与 所述电介质结构一起转移。

6.如权利要求1所述的方法，其中设置端子的步骤包括在转移步骤之 后在所述电介质结构的所述第一表面上沉积金属层。

7.如权利要求6所述的方法，其中沉积金属层的步骤包括将部分所述 金属层沉积在所述晶片的正表面上和暴露于所述正表面的所述晶片元件的 触点上并对所述金属层进行构图以便所述金属层包括多个分离的金属元 件，每一个所述金属元件包括所述电介质结构上的端子和将该端子连接到 所述晶片元件的触点的迹线。

8.如权利要求7所述的方法，其中沉积所述金属层的步骤包括形成基 本上连续的层，并且构图步骤包括细分连续层以形成所述分离的金属元件。

9.如权利要求7所述的方法，其中沉积所述金属层的步骤包括选择性 沉积金属以形成彼此分离的金属元件。

10.如权利要求1所述的方法，其中转移步骤包括：在形成步骤之后 将在其上具有所述电介质结构的模具放置在所述晶片元件的正表面上，将 所述电介质结构的所述第二表面结合到所述晶片元件的所述正表面，并且 然后除去所述模具。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述模具和所述晶片元件具有基 本上相等的热膨胀系数。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述形成步骤包括将未固化的、 可流动的电介质材料沉积到所述工作表面上，并且然后固化所述电介质材 料。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述工作表面包括多个凹陷和所 述凹陷之间的台区域，所述形成步骤还包括在所述固化步骤完成之前从所 述台区域中除去电介质材料。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述固化步骤包括将所述未固化 的电介质材料选择性地暴露于辐射能量下以便所述电介质材料的一部分保 持未被固化，所述形成步骤还包括除去所述电介质材料的未固化部分。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述形成步骤包括形成延伸穿过 所述电介质结构的通气口。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述晶片元件包括多个芯片区， 该方法还包括在所述转移步骤之后切割所述晶片和所述电介质结构以形成 多个单元的步骤，每一个所述单元包括一个或多个所述芯片区以及所述电 介质结构的一部分。