[发明专利]超声波癌治疗促进剂和杀细胞剂无效
| 申请号: | 200680049369.5 | 申请日: | 2006-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN101346149A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
| 发明(设计)人: | 金平幸辉;曾根崎修司;大神有美;坂西俊明 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
| 主分类号: | A61K33/24 | 分类号: | A61K33/24;A61K33/30;A61K47/32;A61K47/34;A61K47/48;A61P35/00;A61P43/00 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 超声波 治疗 促进剂 细胞 | ||
1.超声波癌治疗促进剂,其含有金属半导体颗粒。
2.根据权利要求1所述的超声波癌治疗促进剂,上述金属半导体颗粒通过超声波照射可以生成自由基物种。
3.根据权利要求1或2所述的超声波癌治疗促进剂,上述金属半导体颗粒具有光感应特性。
4.根据权利要求1~3任一项所述的超声波癌治疗促进剂,上述金属半导体颗粒具有光催化活性。
5.根据权利要求4所述的超声波癌治疗促进剂,上述具有光催化活性的金属半导体颗粒选自TiO2、ZnO、SnO2、WO3、In2O3、SrTiO3、Nb2O5和Ta2O5所组成的组。
6.根据权利要求1~5任一项所述的超声波癌治疗促进剂,上述金属半导体颗粒是TiO2。
7.根据权利要求1~6任一项所述的超声波癌治疗促进剂,上述金属半导体颗粒具有50~200nm的粒径。
8.根据权利要求1~3任一项所述的超声波癌治疗促进剂,上述金属半导体颗粒是量子点。
9.根据权利要求8所述的超声波癌治疗促进剂,上述量子点是选自CdSe、CdS、CdTe、ZnS、ZnSe、InGaP和ZnTe所组成的组中的至少一种。
10.根据权利要求1~6、8和9任一项所述的超声波癌治疗促进剂,上述金属半导体颗粒具有二次颗粒的形态,该二次颗粒的形态是通过聚集或结合形成的,并具有50~200nm的粒径。
11.根据权利要求1~10任一项所述的超声波癌治疗促进剂,上述金属半导体颗粒是多种金属半导体颗粒的混合物或复合体。
12.根据权利要求1~11任一项所述的超声波癌治疗促进剂,在上述金属半导体颗粒的表面结合聚合物或源自生物体的高分子而形成。
13.根据权利要求12所述的超声波癌治疗促进剂,上述聚合物是具有羧基的聚合物。
14.根据权利要求12所述的超声波癌治疗促进剂,上述聚合物是阳离子性聚合物。
15.根据权利要求12所述的超声波癌治疗促进剂,上述聚合物是非离子性聚合物。
16.根据权利要求1~15任一项所述的超声波癌治疗促进剂,由上述金属半导体颗粒分散在溶剂中而形成。
17.根据权利要求16所述的超声波癌治疗促进剂,上述分散液具有中性的液体性质。
18.根据权利要求16或17所述的超声波癌治疗促进剂,上述分散液是生理盐水。
19.杀细胞剂,其含有金属半导体颗粒,受到超声波照射,通过该照射成为细胞毒素。
20.根据权利要求19所述的杀细胞剂,其被投与到体内,受到超声波照射,通过该照射成为细胞毒素。
21.根据权利要求19或20所述的杀细胞剂,杀灭对象是癌细胞。
22.根据权利要求19~21任一项所述的杀细胞剂,上述细胞毒素是由上述半导体颗粒通过超声波照射产生的自由基物种所产生的。
23.根据权利要求19~22任一项所述的杀细胞剂,其含有具有20~200nm粒径并选自作为上述金属半导体颗粒的TiO2、SnO2、ZnO和CdSe所组成的组中的至少一种半导体颗粒,受到400kHz~20MHz的超声波照射,通过该照射成为细胞毒素。
24.根据权利要求23所述的杀细胞剂,上述半导体颗粒是TiO2。
25.根据权利要求23或24所述的杀细胞剂,上述半导体颗粒是在该颗粒表面与聚合物和/或源自生物体的高分子结合而形成的。
26.根据权利要求25所述的杀细胞剂,上述聚合物是阴离子性聚合物。
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