[发明专利]在反射模式下工作的发光传感器有效
| 申请号: | 200680048526.0 | 申请日: | 2006-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN101346621A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
| 发明(设计)人: | M·M·J·W·范赫佩恩;D·J·W·克隆德;H·R·施塔伯特 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/63 | 分类号: | G01N21/63 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 邬少俊;王英 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反射 模式 工作 发光 传感器 | ||
1.一种在反射模式下工作的发光传感器(10),包括:
用于被介质填充的至少一个孔(1);
存在于所述至少一个孔(1)中的至少一个光学可变分子(2);
激发辐射源,用于利用激发辐射(3)照射所述至少一个孔(1),以激发所述至少一个光学可变分子(2);以及
用于检测由所述至少一个光学可变分子(2)产生的发光辐射(5)的检测器(12),
其中所述至少一个孔(1)具有第一横向尺寸和第二横向尺寸,所述第一横向尺寸大于所述激发辐射(3)在所述介质中的衍射极限,所述第二横向尺寸小于所述激发辐射(3)在所述介质中的衍射极限,并且其中所述激发辐射源和所述检测器(12)位于所述传感器(10)的同一侧。
2.根据权利要求1所述的发光传感器(10),其中所述第二横向尺寸小于所述激发辐射(3)在所述介质中的衍射极限的80%。
3.根据权利要求1所述的发光传感器(10),所述激发辐射(3)具有波长,其中所述第一横向尺寸小于所述激发辐射(3)的波长。
4.根据权利要求1所述的发光传感器(10),其中所述第一横向尺寸大于从所述光学可变分子发射的辐射的波长。
5.根据权利要求1所述的发光传感器(10),所述至少一个孔(1)包括内表面壁(16),其中将配合体固定在所述至少一个孔(1)的所述内表面壁(16)上。
6.根据权利要求1所述的发光传感器(10),其中使所述激发辐射(3)偏振,使得所述激发辐射(3)在所述至少一个孔(1)中受到抑制。
7.根据权利要求1所述的发光传感器(10),包括孔(1)的阵列。
8.根据权利要求1所述的发光传感器(10),其中所述至少一个孔(1)是狭缝或椭圆形孔。
9.根据权利要求1所述的发光传感器(10),还包括在所述传感器(10)的前侧和所述检测器(12)之间的波长滤波器,所述波长滤波器用于抑制反射的激发辐射(4)。
10.根据权利要求1所述的发光传感器(10),其中所述检测器(12)是CCD或CMOS检测器。
11.根据权利要求1所述的发光传感器(10),其中所述传感器(10)是发光生物传感器。
12.根据权利要求11所述的发光传感器(10),其中所述发光生物传感器(10)是荧光生物传感器。
13.一种用于检测由存在于在反射模式下工作的传感器的至少一个孔(1)中的至少一个光学可变分子(2)产生的发光辐射(5)的方法,所述至少一个孔(1)用于被介质填充,该方法包括:
通过从激发辐射源发射的激发辐射(3)激发所述孔中的所述至少一个光学可变分子(2),所述激发辐射源位于所述至少一个孔(1)的前侧(6);
检测由所述被激发的至少一个光学可变分子(2)从所述孔产生的发光辐射(5);
其中所述至少一个孔(1)具有第一横向尺寸和第二横向尺寸,所述第一横向尺寸大于所述激发辐射(3)在所述介质中的衍射极限,所述第二横向尺寸小于所述激发辐射(3)在所述介质中的衍射极限,并且该方法包括:
在传感器的与所述激发辐射源相同的一侧上检测所述发光辐射(5)。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述第二横向尺寸小于所述激发辐射(3)在所述介质中的衍射极限的80%。
15.根据权利要求13所述的方法,所述激发辐射(3)具有波长,其中所述第一横向尺寸小于所述激发辐射(3)的波长。
16.根据权利要求13所述的方法,其中所述激发辐射(3)由TE偏振辐射构成。
17.根据权利要求13所述的方法,所述至少一个孔(1)包括内表面壁(16),其中该方法还包括将配合体固定到所述至少一个孔(1)的所述内表面壁(16)上。
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