[发明专利]MEMS谐振器及其制造方法，以及MEMS振荡器

权利要求书

1.一种MEMS谐振器，其包括第一电极和可移动元件(48)形式的第二电极，可移动元件(48)至少朝向第一电极是可移动的，第一电极和可移动元件(48)被具有侧壁的间隔(46，47)分开，其中，第一电极和第二电极作为半导体主体(10)的顶层(40)的一部分而形成，其中半导体主体包括衬底层(20)、牺牲层(30)和顶层(40)，其中在第一电极下存在牺牲层，而在第二电极(48)下不存在牺牲层，以及其中在间隔(46，47)的至少一个侧壁上提供了电介质层(60)。

2.如权利要求1所述的MEMS谐振器，其特征在于在至少两个侧壁上提供了电介质层(60)。

3.一种制造MEMS谐振器的方法，其包括以下步骤：

提供半导体主体(10)，其包括衬底层(20)、在衬底层(20)上所提供的牺牲层(30)和在牺牲层(30)上所提供的顶层(40)；

形成顶层(40)图案，以形成间隔(46，47)，间隔(46，47)局部地暴露牺牲层(30)，间隔(46，47)还用于限定可移动元件(48)；

选择性地去除牺牲层(30)，以将移动元件(48)从衬底层(20)部分地释放出来；以及

在与可移动元件(48)周围的顶层(40)相关的间隔(46，47)的至少一个侧壁上提供电介质层(60)。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于在提供半导体主体(10)的步骤中，在牺牲层(30)上提供了包含硅的顶层(40)。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于提供电介质层(60)的步骤包括氧化步骤，由此，与顶层(40)相关的间隔(46，47)的至少一个侧壁上的至少硅被转化为氧化硅。

6.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于提供电介质层(60)的步骤包括沉积电介质层，在与顶层(40)相关的间隔(46，47)的至少一个侧壁上提供了该电介质层(60)。

7.一种MEMS振荡器，其包括如权利要求1或2所述的MEMS谐振器。

8.一种集成电路，其包括如权利要求7所述的MEMS振荡器。