[发明专利]特别是用于光学、电子或光电子领域的基片的制造方法和根据所述方法获得的基片

权利要求书

1.一种用于光学、电子或光电子领域的基片的制造方法，所述方法至少包括下列阶段：

-将种子层(5)转移到接收支持体(3)上，和

-可用层(6)外延生长到所述种子层(5)上，

其特征在于，所述种子层(5)的化学组成与所述接收支持体(3)的化学组成相同，所述接收支持体(3)的热膨胀系数等于或稍微大于所述可用层(6)的热膨胀系数，以及所述种子层(5)的热膨胀系数等于所述接收支持体(3)的热膨胀系数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接收支持体(3)由热膨胀系数为所述可用层(6)的热膨胀系数的1倍至1+ε’倍的材料构成，ε’的典型值为0.2。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述种子层(5)和/或所述接收支持体(3)包括下列材料中的一种材料：硅、锗、碳化硅、GaN和蓝宝石。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，该方法包括施加应力和/或刻蚀和/或辐射的阶段，所述阶段导致由所述种子层(5)和所述可用层(6)构成的组合体与所述接收支持体(3)的分离。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，为进行所述分离而施加的应力选自包括机械应力、热应力和静电应力的组。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，为进行所述分离而施加的刻蚀选自包括湿式、干式和气态化学刻蚀及等离子体刻蚀的组。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，为进行所述分离而施加的辐射选自包括使用激光的组。

8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使施主基片(1)与所述接收支持体(3)接触后，通过将所述施主基片(1)减薄而由所述施主基片(1)获取所述种子层(5)。

9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，通过在预脆性区(2)处使所述种子层(5)与施主基片(1)分离，从而由所述施主基片(1)获取所述种子层(5)。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，通过将原子物种植入所述施主基片(1)中至相当于所述施主基片(1)的厚度的深度，从而形成所述预脆性区(2)。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，通过以下操作来实现所述种子层(5)与所述施主基片(1)的分离，所述操作包括热处理、施加机械应力和化学侵蚀中的一种操作或者这些操作中的至少两种操作的组合。

12.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，将所述可用层(6)转移至最终支持体基片(7)上。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述种子层(5)转移至最终支持体基片(7)上。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述最终支持体基片(7)包括下列材料中的一种材料：半导体材料、塑性材料、玻璃和金属。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述最终支持体基片(7)包括下列材料中的一种材料：硅、锗、SiC、铜和蓝宝石。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述可用层(6)通过接合转移至所述最终支持体基片(7)上。

17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述可用层(6)和所述种子层(5)通过接合转移至所述最终支持体基片(7)上。

18.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述接合通过使用接合层(8)而实现，所述接合层(8)选自：

-绝缘层，

-有机层，

-金属中间层，

-密封层。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述绝缘层是SiO₂或Si₃N₄层。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述有机层是聚酰亚胺层。

21.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述密封层是Pd₂Si、WSi₂、SiAu或PdIn层。