[发明专利]金属类膜脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

在处理室内有还原性气体存在的条件下、在氧化气体氛围中对在 基板上形成的金属类膜进行脱碳处理，

所述金属类膜是从包含金属化合物的成膜原料通过CVD成膜的 金属类膜，所述金属化合物在其构成要素中至少包含金属和碳，

所述脱碳处理是在O₂和H₂存在、压力为2～1.1×10⁵Pa、处理温度 为650℃以上的条件下进行的热氧化处理、或是在O₂和H₂存在、压力 为2～5000Pa、处理温度为250～450℃的条件下进行的等离子体的自由 基氧化处理、或是在O₂和H₂存在、压力为2～150Pa、处理温度为 250～600℃的条件下进行的UV处理。

2.如权利要求1所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

所述脱碳处理为热氧化处理时，O₂和H₂的分压比O₂/H₂为0.5以 下。

3.如权利要求1所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

所述脱碳处理为自由基氧化处理时，O₂和H₂的分压比O₂/H₂为0.5 以下。

4.如权利要求1所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

所述等离子体是通过具有多个槽的平面天线将微波导入到所述处 理室内而形成的微波激励高密度等离子体。

5.如权利要求1所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

所述脱碳处理为UV处理时，O₂和H₂的分压比O₂/H₂为0.1以下。

6.如权利要求1所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

构成所述金属类膜的金属选自W、Ni、Co、Ru、Mo、Re、Ta和 Ti中的至少一种。

7.如权利要求1所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

作为成膜原料，还包括含有Si的原料和含有N的原料的至少一种， 形成含有所述金属化合物中的金属和至少Si以及N中的一种的金属化 合物膜。

8.如权利要求7所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

所述含有Si的原料为硅烷、乙硅烷或二氯硅烷。

9.如权利要求7所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

所述含有N的原料为氨或单甲基肼。

10.如权利要求1所述的金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：

所述金属类膜是在半导体的基板上经由栅极绝缘膜形成的。

11.一种成膜方法，其特征在于，包括：

将基板配置在处理室内，在所述处理室内导入包含有金属化合物 的成膜原料，通过CVD在基板上形成金属类膜的工序，其中所述金属 化合物的构成要素至少包含有金属和碳；和

在有还原性气体存在的条件下并且在氧化性气体氛围中对成膜的 所述金属类膜进行脱碳处理的工序，

其中，所述脱碳处理是在O₂和H₂存在、压力为2～1.1×10⁵Pa、处 理温度为650℃以上的条件下进行的热氧化处理、或是在O₂和H₂存在、 压力为2～5000Pa、处理温度为250～450℃的条件下进行的等离子体的 自由基氧化处理、或是在O₂和H₂存在、压力为2～150Pa、处理温度为 250～600℃的条件下进行的UV处理。